Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
1НИУ"Московский государственный институт электронной техники", Зеленоград, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
4 Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
4 Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
При длительном анодном травлении монокристаллического кремния p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается образование трещин. Показано, что трещины формируются в условиях "мягкого" воздействия, когда возможно образование квазиравновесных точечных дефектов, их последующее пространственно-временное распределение в результате миграции к различным стокам и образование пор. Условия "мягкого" воздействия имеют место при электротехническом травлении в электролите с внутренним источником тока, а также при низкоэнергетических околопороговых радиационных облучениях, при тепловых, механических, химических и других воздействиях. Сделано заключение об общем характере процессов образования трещин в упругих твердых телах, связанном с трансформацией пор при длительных временах воздействия в микропоры и трещины.
- В.В. Старков. Все материалы. Энциклопедический справочник (2009) N 4, с. 13
- M.D. Mason, D.J. Sirbuly, S.K. Buratto. Thin Sol. Films, 406, 151 (2002)
- К.Б. Тыныштыкбаев, Ю.А. Рябикин, К.А. Мить, Б.А. Ракыметов, Т. Айтмукан. ФТТ, 53, 1498 (2001)
- В.В. Старков, В.М. Цейтлин, И. Конли, Х. Престинг, У. Кениг, А.Ф. Вяткин. Микросистемная техника, N 7, 35 (2001)
- В.В. Старков, Е.А. Старостина, И. Конли, Х. Престинг, У. Кениг, А.Ф. Вяткин. Микросистемная техника, N 8, 34 (2001)
- В.В. Старков, Л.Г. Шабельников, М.В. Григорьев, А.П. Ушакова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные, нейтронные исследования, N 1, 146 (1999)
- В.В. Старков, И. Конли, Х. Престинг, У. Кениг, А.Ф. Вяткин, В.М. Цейтлин. Микросистемная техника, N 2, 34 (2002)
- В.В. Стаpков, Д.В. Иpжак, Д.В. Pощупкин. Деформация и разрушение материалов, N 10, 6 (2008)
- В.В. Старков, Е.Ю. Гаврилин, А.Ф. Вяткин, В.И. Емельянов, К.И. Еремин. Перспективные материалы, N 6, 25 (2003)
- П.Г. Черемской, В.П. Бетехтин, В.В. Слезов. Поры в твердом теле (Энергоатомиздат, М., 1990)
- В.И. Емельянов. Квант. электрон., 28, 2 (1999)
- В.И. Емельянов, В.В.Старков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные, нейтронные исследования, N 6, 116 (2006)
- Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
- Л.И. Федина, А.Л. Асеев. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Новосибирск, 2004) с. 179
- Д.Ф. Тимохов, Ф.П. Тимохов. ФТП, 43, 95 (2009)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
- J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 1643 (1993)
- Yu.B. Bolkhovityanov, V.I. Yudaev, A.K. Gutakovsky. Thin Sol. Films, 137, 111 (1986)
- А.А. Шкляев, М. Ичикава. УФН, 178, 139 (2008)
- Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 41, 1473 (2007)
- В.Ф. Киселёв, О.В. Крылов. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1979)
- N.N. Gerasimenko, M. Rolle, Li-Jen Cheng, Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. Status Solidi B, 90, 689 (1978)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- В.П. Попов, А.И. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, Г.Н. Феофанов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП, 35, 1075 (2001)
- D.V. Kilanov, L.N. Safronov, V.P. Popov. Sol. St. Phenomena, 82-- 84, 155 (2002)
- Q.-Y. Tong, R. Scholz, U. Gosele, T.-H. Lee, L.-J. Hyang, Y.-L. Chao, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 72, 49 (1998)
- V.P. Popov, L.N. Safronov, A.I. Nikiforov, R. Sholz. ECS Proc. (2005), PV 2005-06, p. 346
- V.V. Kalinin, A.L. Aseyev, N.N. Gerasimenko et. al. Rad. Eff., 48, 13 (1980)
- Н.Н. Герасименко, А.Н. Михайлов, В.В. Козловский. Докл. конф. "Дефекты в полупроводниках" (СПб., 2010); Докл. конф. "Физико-химические основы модификации материалов" (Новосибирск, 2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
