"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов AlxGa1-xAs1-yPy : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Глотов А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А., Тарасов И.С.2, Prutskij T.3, Leiste H.4, Rinke M.4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla,, Col San Miguel Hueyotlipan, Puebla, Pue., Mexico
4Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Поступила в редакцию: 2 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Методами высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии изучены структурные, оптические и энергетические свойства твердых растворов AlxGa1-xAs1-yPy : Mg, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что введение примеси магния в четырехкомпонентный твердый раствор обеспечивает высокую концентрацию носителей заряда. Уменьшение температуры роста приводит к снижению концентрации носителей заряда в пленках, легированных магнием с малым потоком газа-носителя акцепторной примеси, в то время как повышение потока приводит к возрастанию концентрации акцепторной примеси, что отражается на характере спектров фотолюминесценции.
  1. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998) [Semiconductors, 32 (1), 1 (1998)]
  2. G. Timo, C. Flores, R. Campesato. Cryst. Res. Technol. 40, 10 (2005)
  3. E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, I.N. Arsentyev, V.P. Ulin. Mater. Sci. Engin. B, 147 (2-3), 144 (2008)
  4. П.В. Середин. Изв. Самарского НЦ РАН, 11 (3), 46 (2009)
  5. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1055 (2008)]
  6. D.H. Zhang, K. Radhakrishnan, S.F. Yoon. J. Cryst. Growth, 148, 35 (1995)
  7. H.Q. Zheng, K. Radhakrishnan, H. Wang, P.H. Zhang, S.F. Yoon, G.I. Ng. J. Cryst. Growth, 197, 762 (1999)
  8. Р.Д. Барнем, Н.И. Холоньяк, Г.В. Корб, Г.М. Макси, Д.Р. Сайферс, Д.Б. Вудхаус, Ж.И. Алфёров. ФТП, 6, 97 (1972)
  9. П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2046 (2013)
  10. M. Ilegems. J. Appl. Phys., 48, 3 (1977)
  11. Min Su Kim, Do Yeob Kim, Tae Hoon Kim et al. J. Korean Phys. Soc., 54 (2), 673 (2009)
  12. K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, N. Katoh, S. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth., 248, 124 (2003)
  13. M. Longo, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A.A. Carbognani, C. Bosshi, E. Gombia. J. Cryst. Growth., 248, 119 (2003)
  14. J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand. Appl. Phys. Lett., 77, 1164 (2000)
  15. C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Aremour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett., 81, 2103 (2002)
  16. J. Xu, E. Towe, Q. Yuan, R. Hull. J. Cryst. Growth, 196, 26 (1999)
  17. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 354 (2005) [Semiconductors, 39 (3), 336 (2005)]
  18. Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1086 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1069 (2008)]
  19. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011) [Semiconductors, 45 (4), 481 (2011)]
  20. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (6), 739 (2012) [Semiconductors, 46 (6), 719 (2012)]
  21. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (12), 2694 (2010)
  22. P. Seredin, A. Glotov, E. Domashevskaya, I. Arsentyev, D. Vinokurov, A. Stankevich, I. Tarasov. NATO Science for Peace and Security. Ser. B: Physics Biophysics, 225 (2010)
  23. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013)
  24. B. Jusserand, J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
  25. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  26. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
  27. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011) [Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.