Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов AlxGa1-xAs1-yPy : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Глотов А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А., Тарасов И.С.2, Prutskij T.3, Leiste H.4, Rinke M.4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla,, Col San Miguel Hueyotlipan, Puebla, Pue., Mexico
4Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla,, Col San Miguel Hueyotlipan, Puebla, Pue., Mexico
4Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Поступила в редакцию: 2 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии изучены структурные, оптические и энергетические свойства твердых растворов AlxGa1-xAs1-yPy : Mg, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что введение примеси магния в четырехкомпонентный твердый раствор обеспечивает высокую концентрацию носителей заряда. Уменьшение температуры роста приводит к снижению концентрации носителей заряда в пленках, легированных магнием с малым потоком газа-носителя акцепторной примеси, в то время как повышение потока приводит к возрастанию концентрации акцепторной примеси, что отражается на характере спектров фотолюминесценции.
- Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998) [Semiconductors, 32 (1), 1 (1998)]
- G. Timo, C. Flores, R. Campesato. Cryst. Res. Technol. 40, 10 (2005)
- E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, I.N. Arsentyev, V.P. Ulin. Mater. Sci. Engin. B, 147 (2-3), 144 (2008)
- П.В. Середин. Изв. Самарского НЦ РАН, 11 (3), 46 (2009)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1055 (2008)]
- D.H. Zhang, K. Radhakrishnan, S.F. Yoon. J. Cryst. Growth, 148, 35 (1995)
- H.Q. Zheng, K. Radhakrishnan, H. Wang, P.H. Zhang, S.F. Yoon, G.I. Ng. J. Cryst. Growth, 197, 762 (1999)
- Р.Д. Барнем, Н.И. Холоньяк, Г.В. Корб, Г.М. Макси, Д.Р. Сайферс, Д.Б. Вудхаус, Ж.И. Алфёров. ФТП, 6, 97 (1972)
- П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2046 (2013)
- M. Ilegems. J. Appl. Phys., 48, 3 (1977)
- Min Su Kim, Do Yeob Kim, Tae Hoon Kim et al. J. Korean Phys. Soc., 54 (2), 673 (2009)
- K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, N. Katoh, S. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth., 248, 124 (2003)
- M. Longo, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A.A. Carbognani, C. Bosshi, E. Gombia. J. Cryst. Growth., 248, 119 (2003)
- J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand. Appl. Phys. Lett., 77, 1164 (2000)
- C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Aremour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett., 81, 2103 (2002)
- J. Xu, E. Towe, Q. Yuan, R. Hull. J. Cryst. Growth, 196, 26 (1999)
- Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 354 (2005) [Semiconductors, 39 (3), 336 (2005)]
- Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1086 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1069 (2008)]
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011) [Semiconductors, 45 (4), 481 (2011)]
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (6), 739 (2012) [Semiconductors, 46 (6), 719 (2012)]
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (12), 2694 (2010)
- P. Seredin, A. Glotov, E. Domashevskaya, I. Arsentyev, D. Vinokurov, A. Stankevich, I. Tarasov. NATO Science for Peace and Security. Ser. B: Physics Biophysics, 225 (2010)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013)
- B. Jusserand, J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011) [Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
