"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния
Мынбаева М.Г.1, Головатенко А.А.1,2, Печников А.И.2, Лаврентьев А.А.1, Мынбаев К.Д.1,3, Николаев В.И.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080oC), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300-400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0.3 мкм без образования трещин.
  1. D. Zhu, D.J. Wallis, C.J. Humphreys. Rep. Progr. Phys., 76, 106 501 (2013)
  2. K. Hiramatsu. In: Advances in Crystal Growth Research, ed. by K. Sato, Y. Furukawa and K. Nakajima (Amsterdam, Elsevier, 2001) p. 210
  3. X. Dong-Juan, Z. You-Dou, C. Peng, Z. Zuo-Ming, C. Ping, X. Shi-Yong, J. Ruo-Lian, S. Bo, G. Shu-Lin, Z. Rong. Chin. Phys. Lett., 19, 543 (2002)
  4. H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050 001 (2013)
  5. G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 100, 011 910 (2012)
  6. G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 97, 251 901 (2010)
  7. B.S. Zhang, M. Wu, X.M. Shen, J. Chen, J.J. Zhu, J.P. Liu, G. Feng, D.G. Zhao, Y.T. Wang, H. Yang. J. Cryst. Growth, 258, 34 (2003)
  8. S. Raghavan, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 261, 294 (2004)
  9. Y. Lu, X. Liu, X. Wang, D.-C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 263, 4 (2004)
  10. Yu.V. Melnik, A.E. Nikolaev, S. Stepanov, I.P. Nikitina, K. Vassilevski, A. Ankudinov, Yu. Musikhin, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1121 (1998)
  11. V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, T. Lang, O.V. Konstantinov. Phys. Status Solidi A, 203, R25 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.