"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1,2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих массивы полупроводниковых квантовых точек InAs и металлических квантовых точек As. Массив квантовых точек InAs формировался по механизму Странского-Крастанова и состоял из 5 слоев вертикально сопряженных квантовых точек, разделенных спейсером GaAs толщиной 5 нм. Массив квантовых точек As формировался в обогащенном мышьяком слое GaAs, выращенном при низкой температуре поверх массива квантовых точек InAs, путем постростовых отжигов при температурах 400-600oC в течение 15 мин. Обнаружено, что в процессе выращивания структуры вблизи квантовых точек InAs образуются дефекты несоответствия, представляющие собой 60-градусные или краевые дислокации, лежащие в плоскостях гетероинтерфейса полупроводниковых квантовых точек и прорастающие к поверхности сквозь слой "низкотемпературного" GaAs. Наличие таких дефектов структуры приводит к формированию квантовых точек As вблизи середины сопряженных квантовых точек InAs за пределами слоя "низкотемпературного" GaAs.
  1. М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  2. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  3. M.R. Melloch, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren, J.L. Freeouf. Appl. Phys. Lett., 57, 1531 (1990)
  4. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci, 25, 547 (1995)
  5. S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whittaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa., Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  6. А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев. ФТП, 46, 637 (2012)
  7. А.А. Пастор, У.В. Прохорова, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина. ФТП, 47, 1144 (2013)
  8. N. Cherkashin, S. Reboh, M.J. Hytch, A. Claverie, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev. Appl. Phys. Lett., 102, 173 115 (2013)
  9. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
  10. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 45, 1642 (2011)
  11. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 47, 1196 (2013)
  12. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1588 (1999)
  13. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  14. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 79, 1294 (2001)
  15. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. In: Self-assembled quantum dots, ed. by Z.M. Wang (N.Y., Springer, 2008) p. 297
  16. Y. Chen, X.W. Lin, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J.F. Klem, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett., 68, 111 (1996)
  17. L. Nasi, C. Bocchi, F. Germini, M. Prezioso, E. Gombia, R. Mosca, P. Frigeri, G. Trevisi, L. Seravalli, S. Franchi. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 19, 96 (2008)
  18. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. Phys. Rev. B, 79, 233 304 (2009)
  19. K. Sears, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 99, 113 503 (2006)
  20. R.W. Ballufi, A.V. Granato. In: Dislocations in solids, ed. by F.R.N. Nabarro (Amsterdam, Elsevier/North--Holland, 1979) v. 4, p. 1
  21. A. Varschavsky, E. Donoso. Mater. Lett., 31, 239 (1997)
  22. B.W. Kempshall, B.I. Prenitzer, L.A. Giannuzzi. Scripta Mater., 47, 447 (2002)
  23. R.E. Le Gall, G. Saindrenan. Interface Sci., 11, 59 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.