"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронная структура и эффективные массы носителей заряда в кубических системах InxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75)
Илясов В.В.1, Ершов И.В.1, Жданова Т.П.1
1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Зонная структура тройных кубических соединений III-нитридов InxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75) рассчитана в рамках теории функционала плотности с использованием приближения псевдопотенциала. В кубических системах InxGa1-xN впервые обнаружен эффект большего (на 20-30%) переноса заряда от атомов металла к азоту в пересчете на связь In-N, чем на связь Ga-N, природа которого обусловлена различием в их электроотрицательности, а также в структурной релаксации длин связей. Впервые показано, что в системах InxGa1-xN существуют как легкие [(0.04-0.12)m0], так и тяжeлые [(0.72-0.97)m0] дырки, а эффективные массы электронов лежат в диапазоне (0.04-0.13)m0. Впервые показано, что в системе InxGa1-xN с большим содержанием индия подвижность носителей заряда возрастает на порядок по сравнению с бинарным кристаллом GaN.
  1. D.J. As. Microelectronics, 40, 204 (2009)
  2. J. Schormann, D.J. As, K. Lischka, P. Schley, R. Goldhahn, S.F. Li, W. Loffler,M. Hetterich, H. Kalt. Appl. Phys. Lett. 89, 261 903 (2006)
  3. J.B. Li, Hui Yang, L.X. Zheng, D.P. Xu, Y.T. Wang. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.25 (1999)
  4. В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина. ФТТ, 47 (7), 1338 (2005)
  5. И.П. Сошников, В.В. Лундин, А.С. Усиков, И.П. Калмыков, Н.Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Geethsen. ФТП, 34 (6), 647 (2000)
  6. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, R.P. Seisyan, V.V. Emtsev, S.V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A.V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, J. Graul. Phys. Status Solidi B, 229 (3), R1-R3 (2002)
  7. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, С.В. Зайцев. ЖЭТФ, 139, 367 (2011)
  8. А.В. Шапошников, Д.В. Гриценко, И.П. Петренко, О.П. Пчеляков, В.А. Гриценко, С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.М. Бадалян, Ю.В. Шубин, Т.П. Смирнова, Х. Вонг, Ч.В. Ким. ЖЭТФ, 129, 914 (2006)
  9. С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТТ, 43, 529 (2001)
  10. B.C. Lee. J. Korean Phys. Soc., 35, 516 (1999)
  11. В.М. Mихеев. ФТТ 43, 414 (2001)
  12. D. Gaskill, L. Rowland, K. Doverspike. Electrical transport properties of AlN, GaN and Al-GaN. In: Properties of group III nitrides, ed. by J. Edgar (1995). EMIS Datarewiews series; No 11
  13. M. Farahmand, C. Garetto, E. Belloti. IEEE Tran. Electron. Dev., 48, 535 (2001)
  14. S.K. O'Leary, B.R. Foutz, M.S. Shur, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85, 7727 (1999)
  15. Z. Dziuba, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. DenBaars, U. Mishra. J. Appl. Phys., 82, 2996 (1997)
  16. R. Gaska, J. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, K.M. Asif, A. Orlov, G. Snider, M. Shur. J. Appl. Phys., 77, 770 (1998)
  17. А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, С.В. Морозов, А.А. Дубинов, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, M.S. Shur. ФТТ, 46, 146 (2004)
  18. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94, 3675 (2003)
  19. D. Fritsch, H. Schmidt, M. Grundmann. Phys. Rev. B, 69, 165 204 (2004)
  20. P.D.C. King, T.D. Veal, P.H. Jefferson, C.F. McConville, T. Wang, P.J. Parbrook, Hai Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 90, 132 105 (2007)
  21. A.J. Freeman, R. Asahi, A. Continenza, R. Wu. Solid-state photoemission and related methods, ed. by W. Shattke (Wiley-VCH, 2003)
  22. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A.D. Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 395 502 (2009)
  23. J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  24. B. Daoudi, M. Sehil, A. Boukraa, H. Abid. Int. J. Nanoelectron. Mater., 1, 65 (2008)
  25. В.В. Илясов, Т.П. Жданова, И.Я. Никифоров. ФТТ, 48 (4), 614 (2006)
  26. P. Lowdin. Adv. Quant. Chem., 5, 185 (1970)
  27. И.Р. Шеин, R. Wilks, A. Moewes, Э.З. Курмаев, Д.А. Зацепин, А.И. Кухаренко, С.О. Чолах. ФТТ, 50, 594 (2006)
  28. Landolt-Bornstein. Numerical Date and Functional Relationship in Science and Technology, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin, 1987) New Series III, 22a, 451
  29. С.И. Борисенко. ФТП, 37, 588 (2003)
  30. T.B. Fehlberg. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L1090 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.