"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
"Экситонная" фотопроводимость кристаллов GaAs
Аверкиев Н.С.1, Зайцев Д.А.1, Савченко Г.М.2, Сейсян Р.П.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Экспериментально исследованы и проанализированы спектральные зависимости фотопроводимости при 1.77 и 77 K образцов чистого эпитаксиального GaAs высокого кристаллического совершенства на подложке из полуизолирующего GaAs. Построена теория спектров фотопроводимости, в которой учитывается аналитическая форма экситонного края поглощения полупроводниковых кристаллов и транспорт фотогенерированных носителей заряда с учетом конечной толщины кристалла и наличия центров поверхностной рекомбинации. Показано, что при энергии возбуждения, меньшей ширины запрещенной зоны, спектр фотопроводимости определяется элементарными возбуждениями экситонного типа, а при больших энергиях возбуждения --- поверхностными состояниями, а также процессами, связанными с испусканием оптических фононов. Обнаружено, что в изучаемых образцах образование экситонов непосредственно при поглощении света может иметь вероятность, сопоставимую с вероятностью формирования экситонов из термализованного электронно-дырочного газа.
  1. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1996)
  2. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
  3. Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
  4. J.I. Frenkel. Phys. Rev., 37, 17 (1931); Phys. Rev., 37, 1276 (1931)
  5. Ю.Г. Кусраев, Р.П. Сейсян. В кн.: Петербургская-Ленинградская школа электроники (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013) с. 234
  6. А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ЖЭТФ, 71, 2230 (1976)
  7. T.C. Damen, J. Shah, D.Y. Oberli, D.S. Chemla, J.E. Cunningham, J.M. Kuo. Phys. Rev. B, 42 (12),7434 (1990)
  8. T. Amand, J. Barrau, X. Marie, N. Lauret, B. Dareys, M. Brousseau, F. Laruelle. Phys. Rev. B, 47 (12), 7155 (1993)
  9. F. Clerot, B. Deveaud, A. Chomette, A. Regreny, B. Sermage. Phys. Rev. B, 41 (9), 5756 (1990)
  10. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  11. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. ФТТ, 45 (11), 1961 (2003)
  12. Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ, 1 (3), 357 (1959)
  13. Физика и химия соединений A2B6, пер. под ред. С.А. Медведева, (М., Мир, 1970)
  14. S. Permogorov. Phys. Status Solidi B, 68, 9 (1975)
  15. С. Piermarocchi, F. Tassone, V. Savona, A. Quattropani, P. Schwendimann. Phys. Rev. B, 55, 1333 (1997)
  16. P.E. Selbmann, M. Gulia, F. Rossi, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 54, 4660 (1996)
  17. J. Szczytko, L. Kappei, J. Berney, F. Morier-Gehound, M.T. Portella-Oberli, B. Deveaud. Phys. Rev. Lett. 93, 137 401 (2004)
  18. R.A. Kaindl, D. Hagele, M.A. Carnahan, D.S. Chemla. Phys. Rev. B, 79, 045 320 (2009)
  19. K. Kowalik-Seidl, X.P. Vogele, F. Seilmeier, D. Schuh, W. Wegscheider, A.W. Holleitner, J.P. Kotthaus. Phys. Rev. B, 83 (8), 081307 (R) (2011)
  20. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 142
  21. Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36 (2), 373 (1994)
  22. R.J. Elliott. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  23. M. Ueta, H. Kanazaki, K. Kobayashi, Y. Toyazawa, E. Hanamura. Excitonic Processes in Solids [Springer-Verlag Ser. in Solid-State Sciences, v. 60] (Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, 1986) p. 228
  24. H.J. Stocker, H. Levinstain, C.R. Stannard. Phys. Rev., 150, 613 (1966).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.