Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отклонений от стехиометрии на электрические и фотоэлектрические свойства соединения Hg₃In₂Te₆

Грушка О.Г.¹, Савчук А.И.¹, Чупыра С.М.¹, Мыслюк О.М.¹, Биличук С.В.¹, Шлемкевич В.В.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 21 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований электрических и фотоэлектрических свойств объемных кристаллов Hg₃In₂Te₆ стехиометрического состава и кристаллов с отклонением от стехиометрии Hg_3(1+delta)In_2(1-delta)Te₆, delta= ±0.06. Показано, что изменение соотношения компонентов Hg и In в кристаллах ведет к увеличению концентрации взаимокомпенсирующих доноров и акцепторов, которые практически не влияют на положение донорного уровня в запрещенной зоне (энергия уровня E_D=E_c-(0.18±0.02) эВ), но определяют спектр фотопроводимости вблизи края собственного поглощения. Приводятся выражение для спектральной зависимости фототока и параметры неравновесных носителей заряда, описывающие эксперимент.

А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.Р. Тевс. ЖТФ, 60 (6), 146 (1990)
А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60 (10), 188 (1990)
Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., МФТИ, 1999)
Г.Г. Грушка, З.М. Грушка, Н.П. Гавалешко. Укр. физ. журн., 30 (2), 304 (1985)
П.Н. Горлей, О.Г. Грушка. ФТП, 37 (2), 76 (2003)
О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
О.Г. Грушка, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, Д.П. Козярский. ФТП, 47 (9), 1153 (2013)
Е.В. Кучис. Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1975)
О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.П. Бахтинов, В.М. Фрасуняк. Укр. физ. журн., 46 (3), 365 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель