"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Лукин А.Н.1, Леньшин А.С.1, Бондарев А.Д.2, Арсентьев И.Н.2, Вавилова Л.С.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Методами структурного анализа и оптической спектроскопии исследованы свойства ультратонких пленок Al2O3, полученных на установке ионно-плазменного распыления. Удалось показать, что используемый технологический метод позволяет получать аморфные, гладкие, ультратонкие пленки, беспористые и практически однородные, с зарождающимися в них кристаллами alpha-фазы оксида алюминия Al2O3. При этом пленки отлично пропускают оптическое излучение в инфракрасном, видимом, ультрафиолетовом диапазонах и потенциально значимы для создания на их основе просветляющих покрытий зеркал мощных полупроводниковых лазеров на основе AIIIBV.
  1. K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, M. Katoh, S. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth, 248, 124 (2003)
  2. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  3. Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1086 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1069 (2008)]
  4. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011) [Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)]
  5. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, T. Prutskij. ФТП, 47 (1), 3 (2013) [Semiconductors, 47 (1) (2013)]
  6. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011) [Semiconductors, 43 (4), 1610 (2009)]
  7. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010) [Semiconductors, 4, 184 (2010)]
  8. H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 87, 182 904 (2005)
  9. Y. Xuan, Y.Q. Wu, H.C. Lin, T. Shen, Peide D. Ye. IEEE Electron. Dev. Lett., 28, 935 (2007)
  10. C.-W. Cheng, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 96, 202 101 (2010)
  11. K. Siddhartha Dradhan. Surf. Coat. Technol., 76, 382 (2004)
  12. T.C. Chou, T.G. Nieh, S.D. McAdams, G.M. Pharr. Scripta Met., 25, 2203 (1991)
  13. А.Л. Борисова, Д.И. Адеева, В.Н. Сладкова. Автомaт. сварка, 9, 26 (1997)
  14. Л.А. Крушинская, Я.А. Стельмах. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, N 19, 92 (2011)
  15. В.В. Тесленко-Пономаренко. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, N 13, 175 (2003)
  16. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009) [Semiconductors, 43, 1610 (2009)]
  17. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1055 (2008)]
  18. Frantiv sek Pechar. Cryst. Res. Technol., 20, 239 (1985)
  19. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (M., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.