"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование фаз при взаимодействии тонких пленок системы Yb1-xSmxТе-As2Te3
Гаджиев Э.Ш.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Исследовано образование фаз при взаимодействия тонких пленок Yb1-xSmxТе (x=0.02) и As2Te3, полученных при одновременном и последовательном испарении. Показано, что в результате взаимодействий тонких пленок образуются фазы Yb1-xSmxAs4Te7 при температуре 473 K и Yb1-xSmxAs2Te4 при 503 K.
  1. Т.М. Ильясов. Автореф. канд. дис. (Баку, 1992)
  2. Э.Ш. Гаджиев, А.И. Мададзаде, Д.И. Исмаилов. Неорг. матер., 46, 793 (2010)
  3. E.H. Efendiyev, E.Sh. Hajiyev, R.B. Shafizade, T.M. Ilyasov. Thin Sol. Films, 237, 213 (1994)
  4. Э.Г. Эфендиев, Э.Ш. Гаджиев. Матер. III Нац. конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (М., 2001) с. 214

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.