"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe2
Сардарлы Р.М.1, Самедов О.А.1, Алиева Н.А.1, Абдуллаев А.П.1, Гусейнов Э.К.2, Гасанов И.С.2, Салманов Ф.Т.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 26 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Исследованы кристаллы TlInSe2 в постоянном и переменном электрическом поле в области температур 100-400 K. Обнаружено уменьшение электропроводности sigma со временем в постоянном поле. В диапазоне частот 10-106 Гц измерены спектры комплексного импеданса Z*(f). Анализ диаграмм в комплексной плоскости (Z''-Z') проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов TlInSe2 определяются прыжковой проводимостью и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих платиновых электродов.
  1. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Г.Р. Сафарова. ФТП, 44, 610 (2010)
  2. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. ФТП, 45, 1441 (2011)
  3. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Э.М. Годжаев, Ф.Т. Салманов. ФТП, 45, 1009 (2011)
  4. R.M. Sardarly, O.A. Samedov, A.P. Abdullaev, F.T. Salmanov, A. Urbanovic, F. Garet, J-L. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 05FC09 1-2 (2011)
  5. M.P. Hanias, A.N. Anagnostopoulos. Phys. Rev. B, 47, 4261 (1993)
  6. C. Karakotsou, A.N. Anagnostopoulous. Physica D, 93, 157 (1996)
  7. А. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов (М., ИЛ, 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.