"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Синтез тонких пленок рутила с проводимостью p-типа
Иевлев В.М.1,2, Кущев C.Б.2,1, Овчинников О.В.1, Сумец М.П.1, Латышев А.Н.1, Безрядин М.Н.1, Леонова Л.Ю.1, Канныкин С.В.1,2, Возгорьков А.М.1, Смирнов М.С.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Исследованы структура, электрофизические и оптические свойства гетероструктур, образующихся в процессах термической обработки и импульсной фотонной обработки в атмосфере кислорода, воздуха и азота пленок Ti на поверхности монокристаллических пластин кремния. Показано, что на воздухе при термической обработке формируется гетероструктура TiO2/Ti5Si3/Si-p, а при фотонной обработке --- TiO2/TiSi2/Si-p. Установлено, что термическая обработка в кислороде пленок Ti, легированных Ni, приводит к формированию пленок рутила с ярко выраженной проводимостью n-типа. Термический отжиг пленок Ti на воздухе с последующей фотонной обработкой в среде азота приводит к формированию пленок рутила с проводимостью p-типа.
  1. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jageret. Semicond. Sci Technol., 11, 1525 (1996)
  2. T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  3. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  4. A. Das, Y. Kotsar, E. Monroy, G.P. Dimitrakopulos, A. Lotsari, T. Kehagias, P. Komninou. Appl. Phys. Lett., 98, 201 911 (2011)
  5. S.A. Haque, S. Koops, N. Tokmoldin, J.R. Durrant, J. Huang, D.D.C. Bradley, E. Palomares. Adv. Mater., 19, 683 (2007)
  6. S. Das еt al. Mat. Chem. Phys. Lett., 127, 887 (2011)
  7. L.C.-K. Liau, C.C. Lin. Thin Sol. Films, 516, 1998 (2008)
  8. T. Umebayashi et al. J. Phys. Chem. Sol., 63, 1909 (2002)
  9. D.J. Mowbray, J.M. Martinez, J.M. Garc\`i a-Lastra, K.S. Thygesen, K.W. Jacobsen. J. Phys. Chem. C, 113, 12 301 (2009)
  10. H. Gao, J. Zhou, D. Dai, Y. Qu. Chem. Enh. Technol., 32, 867 (2009)
  11. Z. Zhao, Q. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 025 105 (2008)
  12. L.K. Randeniya, A. Bendavid, P.J. Martin, E.W. Preston. J. Phys. Chem. C, 111, 18 334 (2007)
  13. M. Batzill, E.H. Morales, U. Diebold. Phys. Rev. Lett., 96, 026 103 (2006)
  14. L. Moro, A. Paul, D.C. Lorents. J. Appl. Phys., 81 (9), 6140 (1997)
  15. A. Ordine et al. Surf. Coat. Technol., 133-134, 583 (2000)
  16. M. Diegel et al. Appl. Phys.: A, 66 (2), 183 (1998)
  17. F. Huisken et al. J. Nanoparticle Res., 293 (1999)
  18. M. Losurdo et al. Phys. Status Solidi A, 203 (7), 1607 (2009)
  19. В.М. Иевлев, C.Б. Кущев, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, Л.Ю. Леонова, М.С. Смирнов, А.А. Синельников, А.М. Возгорьков, М.А. Ивкова. Конденсированные среды и межфазные границы, 14 (2), 141 (2012)
  20. В.М. Иевлев, C.Б. Кущев, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, Л.Ю. Леонова, М.С. Смирнов, А.А. Синельников, А.М. Возгорьков, М.А. Ивкова. Материаловедение, 2, 31 (2013)
  21. В.М. Иевлев, С.В. Канныкин, С.Б. Кущев, А.А. Синельников, С.А. Солдатенко. Физика и xимия обработки материалов, 14, 5 (2011)
  22. В.М. Иевлев, С.Б. Кущев, В.И. Рубцов, С.А. Солдатенко, В.Н. Сарыкалин. Физика и химия обраб. материалов, 4, 62 (1987)
  23. R.L. Anderson. Sol. St. Electron, 5, 341 (1962)
  24. F. Peng, L. Cai, H. Yu, H. Wang, J. Yang. J. Sol. St. Chem., 181, 130 (2008)
  25. В.М. Фридкин, И.С. Желудев. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс (М., Л., Изд-во АН СССР, 1960)
  26. В.И. Бугриенко. ФТТ, 6 (5) 1314 (1964).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.