"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Соломонов А.В.1, Тарасов С.А.1, Менькович Е.А.1, Ламкин И.А.1, Курин С.Ю.2, Aнтипов А.А.2, Бараш И.С.2, Роенков А.Д.2, Хелава Х.3, Макаров Ю.Н.2,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
Поступила в редакцию: 29 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al2O3 (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360-365 нм, а его полуширина составила 10-13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1.14 мВт и 1.46% соответственно.
  1. Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008)
  2. M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N.M. Johnson, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 036 (2011)
  3. Ф.И. Маняхин. ИВУЗ. МЭТ, 2 (50), 54 (2010)
  4. V. Dmitriev, A. Usikov. Hydride Vapor Phase Epitaxy of Group III Nitride Materials, III-Nitride Semiconductor Materials (London, Imperial College Press, 2006) chap. 1
  5. Е.А. Менькович, И.А. Ламкин, С.А. Тарасов. Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 10, 17 (2012)
  6. А.А. Антипов, И.С. Бараш, В.Т. Бублик, С.Ю. Курин, Ю.Н. Макаров, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Д. Роенков, Т.Ю. Чемекова, К.Д. Щербачев, Х. Хелава. ИВУЗ. МЭТ, 1 (57), 52 (2012)
  7. V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya, S.Yu. Karpov. J. Cryst. Growth, 281 (1), 115 (2005)
  8. K. Bulashevich, M. Ramm, S. Karpov. Phys. Status Solidi C, 6 (S2), S804 (2009)
  9. S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, H. Helava, S. Tarasov, E. Menkovich, I. Lamkin, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 289 (2013)
  10. С.А. Тарасов, Е.А. Менькович, А.Н. Пихтин. Патент N 2473149 зарегистрирован 20 января 2013 "Способ определения температуры активной области светодиода". Заявка N 22011147653 приоритет 23 ноября 2011
  11. E.A. Menkovich, S.A. Tarasov, I.A. Lamkin. Funct. Mater., 2, 233 (2012)
  12. М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Письма ЖТФ, 39 (10), 22 (2013)
  13. O.V. Kucherova, V.I. Zubkov, A.V. Solomonov, D.V. Davydov. Semiconductors, 44 (3), 335 (2010)
  14. O.V. Kucherova, V.I. Zubkov, E.O. Tsvelev, I.N. Yakovlev, A.V. Solomonov. Inorg. Mater., 47 (14), 1574 (2011)
  15. A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Davydov. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1829 (2008)
  16. G. Smith, T. Dang, T. Nelson, J. Brown, D. Tsvetkov, A. Usikov, V. Dmitriev. J. Appl. Phys. 95, 8247 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.