"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей
Сидор О.Н.1, Сидор О.А.1, Ковалюк З.Д.1, Дубинко В.И.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2НИК "Ускоритель" ННЦ "Харьковский физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 21 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Впервые изучено влияние тормозного гамма-нейтронного облучения (эффективная энергия Eeff = 8 МэВ) флюенсами 1012-1013 н/см2 на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe. Даже при максимальном флюенсе облучения обнаружены улучшение их вольт-амперных характеристик, рост напряжения холостого хода при незначительном уменьшении тока короткого замыкания. Существенных изменений спектрального контура фотоответа в целом не установлено. В то же время даже начальная стадия облучения вызвала сильную деградацию параметров тестовых кремниевых солнечных элементов. Данный факт позволяет рекомендовать исследуемые фотодиоды для использования в качестве радиационно стойких фотодетекторов.
  1. V.M. Koshkin, Yu.P. Dmitriev. Chem. Rev., 19 (2), 1 (1994)
  2. K.A. Askerov, M.G. Bektashi, V.I. Gadzhiyeva, D.Sh. Abdinov. 19th Int. Conf. on Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 2006) [Proc. SPIE, 6636, 66360C-1 (2007)]
  3. К.А. Аскеров, А.З. Абасова, Ф.К. Исаев. Прикл. физика, 4, 94 (2004)
  4. 3.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 5, 47 (2005)
  5. З.Д. Ковалюк, О.А. Политанская, О.Н. Сидор, В.Т. Маслюк. ФТП, 42 (11), 1321 (2008)
  6. Z.D. Kovalyuk, O.A. Politanska, V.G. Tkachenko, I.N. Maksymchuk, V.V. Dubinko, A.I. Savchuk. J. Nucl. Mater., 385, 489 (2009)
  7. В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (10), 2000 (1977)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, гл. 2, с. 95
  9. П.И. Савицкий, З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский. Неорг. матер., 32 (4), 405 (1996)
  10. В.И. Стриха, С.С. Кильчицкая. Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник (СПб., Энергоатомиздат, 1991) гл. 1, с. 10
  11. V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B, 47, 101 (1978)
  12. M.Z. Zarbaliyev, I.H. Mutlu. Rad. Eff. Def. Solids, 161 (11), 665 (2006)
  13. K.A. Askerov, A.Z. Abasova, F.K. Isayev. 17th Int. Conf. Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 2002) [Proc. SPIE, 5126, 483 (2003).]
  14. Б. Келли. Радиационное повреждение твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
  15. К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов (М., Атомиздат, 1979)
  16. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  17. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986) гл. 2, с. 47
  18. К.А. Аскеров. Физика, 2 (2), 19 (1996)
  19. Р.Ю. Алиев, Д.И. Караев, К.А. Аскеров. Физика, 2 (3), 32 (1996)
  20. Р.Ю. Алиев, К.А. Аскеров. Прикл. физика, 3, 78 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.