MHEMT с предельной частотой усиления по мощности fmax=0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In0.42Al0.58As/In0.42Ga0.58As/In0.42Al0.58As/GaAs
Лаврухин Д.В.1, Ячменев А.Э.1, Галиев Р.Р.1, Хабибуллин Р.А.1, Пономарев Д.С.1, Федоров Ю.В.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии была выращена наногетероструктура In0.42Al0.58As/In0.42Ga0.58As/ In0.42Al0.58As cо ступенчатым метаморфным буфером на подложке GaAs. Среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составило 3.1 нм. На данной наногетероструктуре был изготовлен MHEMT транзистор c зигзагообразным затвором длиной 46 нм, для которого предельные частоты усиления по току и по мощности составили fT=0.13 TГц и fmax=0.63 TГц соответственно.
- G.I. Ng, K. Radhakrishan, H. Wang. Proc. 13th Int. GaAs Symp. (Paris, France, 2005) p. 13
- D. Kim, J. Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meet. (2010) p. 30.6.1
- J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
- D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting (Washington, DC, 2011)
- A. Leuther, A. Tessmann, H. Massler, R. Aidam, M. Schlechtweg, O. Ambacher. Proc. 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Relat. Mater. (2012)
- A. Leuther, S. Koch, A. Tessmann, I. Kallfass, T. Merkle, H. Massler, R. Loesch, M. Schlechtweg, S. Saito, O. Ambacher. Proc. 23rd Int. Conf. Indium Phosphide Relat. Mater. (Berlin, Germany, 2011)
- M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim, J.-K. Rhee. J. Kor. Phys. Soc., 44 (2), 408 (2004)
- А. Шиленас, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов. ФТП, 47 (3), 348 (2013)
- K. Povzela, A. vSilenas, J. Povzela, V. Juciene, G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109, 233 (2012)
- G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D. J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
- Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
- S.S. Pushkarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, D.V. Lavrukhin, I.S. Vasil'evskii, R.M. Imamov, I.A. Subbotin, O.M. Zhigalina, V.G. Zhigalina, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. Proc. Int. Conf. Micro- and Nanoelectron. (Moscow--Zvenigorod, Russia, 2012) v. 1, p. 3
- Lorene A. Samoska. IEEE Trans. Terahertz Sci. Techn., 1 (1), 9 (2011)
- Dae-Hyun Kim, Suk-Jin Kim, Jae-Hak Lee, Ki-Woong Chung, Kwang-Seok Seo. Proc. of GaAs ManTech Digests (2004)
- E.V. Anichenko, E.V. Erofeev, S.V. Ishutkin, V.A. Kagadei, K.S. Nosaeva. Proc. Int. Conf. Microwave and telecommunication technology (Tomsk, Russia, 2010) p. 754
- B. Hadad, I. Toledo, G. Bunin, J. Kaplun, M. Leibovitch, Y. Shapira, Y. Knafo. Proc. of GaAs ManTech Digests (2004)
- Huang-Ming Lee, Edward Yi Chang, Szu-Hung Chen, Chun-Yen Chang. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L1508 (2002)
- Z. Jiang, W. Wang, H. Gao, L. Liu, H. Chen, J. Zhou. Appl. Sur. Sci., 254, 5241 (2008)
- I. Tangring, S.M. Wang, M. Sadeghi, Q.F. Gu, A. Larsson. J. Cryst. Growth., 281, 220 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.