"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiOx
Войтович В.В.1, Руденко Р.Н.2, Колосюк А.Г.1, Красько Н.Н.1, Юхимчук В.О.3, Войтович М.В.3, Пономарев C.C.3, Крайчинский А.Н.1, Поварчук В.Ю.1, Макара В.А.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Исследовано влияние примеси олова на процессы формирования кристаллов кремния наноразмеров в тонких пленках аморфной оксидно-кремниевой матрицы (a-SiOx, x~ 1.15). Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. После температурной обработки в атмосфере аргона кристаллиты кремния в оксидно-кремниевой матрице с оловом (a-SiOxSn) имеют меньшие размеры (6--9 нм) по сравнению с крсталлитами в a-SiOx (≥ 10 нм). Показано, что в a-SiOxSn объемная доля кристаллической фазы после отжига при температурах 800 -1100oC возрастает от 20 до 80%. В то же время в образцах без олова кристаллическая фаза кремния появляется только после отжига при температурах 1000 и 1100oC, а объемная доля кристаллической фазы составляет 45 и 65% соответственно.
  1. A. Shan, E. Vallat-Shauvain, P. Torres, J. Meier, U. Kroll, C. Hof, C. Droz, M. Goerlitzer, N. Wyrsch, M. Vanechek. Mater. Sci. Engin., 69--70, 219 (2000)
  2. В.В. Войтович, В.Б. Неймаш, Н.Н. Красько, А.Г. Колосюк, В.Ю. Поварчук, Р.М. Руденко, В.А. Макара, Р.В. Петруня, В.О. Юхимчук, В.В. Стрельчук. ФТП, 45, 1331 (2005)
  3. M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
  4. A.A. Sirenko, J.R. Fox, L.A. Akimov, X.X. Xi, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber. Sol. St. Commun., 113, 553 (2000)
  5. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  6. H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58 (10), 739 (1986)
  7. P. Mishra, K.P. Jain. Phys. Rev. B, 64, 073 304 (2001)
  8. F.L. Galeener. J. Non-Cryst. Sol., 71, 373 (1985)
  9. Y. Wang, X. Liao, H. Diao et al. Science in China (Ser. A), 45 (10), (2002)
  10. Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 4823 (1996)
  11. E. Monticone, A.M. Rossi, M. Rajterit, R.S. Gonnelli, V. Lacquanitit, G. Amatot. Phil. Mag. B, 80 (4), 523 (2000)
  12. J.L. Feldman, E. Kaxiras, X.-P. Li. Phys. Rev. B, 44, 8334 (1991)
  13. L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  14. С.В. Гайслер, О.И. Семенова, Р.Г. Шарафутдинов, Б.А. Колесов. ФТТ, 46, 1484 (2004)
  15. J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
  16. G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A.R. Pennisi, S.L. Rosa. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
  17. В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
  18. A.T. Voutsas, M.K. Hatalis, J. Boyce, A. Chiang. J. Appl. Phys., 78, 6999 (1995)
  19. Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов. ФТП, 44, 1074 (2010)
  20. E. Bustarred, M.A. Hachicha. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
  21. V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
  22. R. Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.