Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiO_x

Войтович В.В.¹, Руденко Р.Н.², Колосюк А.Г.¹, Красько Н.Н.¹, Юхимчук В.О.³, Войтович М.В.³, Пономарев C.C.³, Крайчинский А.Н.¹, Поварчук В.Ю.¹, Макара В.А.²

¹Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics, Kyiv, Ukraine

Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics, Kyiv, Ukraine

³Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 16 октября 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние примеси олова на процессы формирования кристаллов кремния наноразмеров в тонких пленках аморфной оксидно-кремниевой матрицы (a-SiO_x, x~ 1.15). Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. После температурной обработки в атмосфере аргона кристаллиты кремния в оксидно-кремниевой матрице с оловом (a-SiO_xSn) имеют меньшие размеры (6-9 нм) по сравнению с крсталлитами в a-SiO_x (≥ 10 нм). Показано, что в a-SiO_xSn объемная доля кристаллической фазы после отжига при температурах 800 -1100^oC возрастает от 20 до 80%. В то же время в образцах без олова кристаллическая фаза кремния появляется только после отжига при температурах 1000 и 1100^oC, а объемная доля кристаллической фазы составляет 45 и 65% соответственно.

A. Shan, E. Vallat-Shauvain, P. Torres, J. Meier, U. Kroll, C. Hof, C. Droz, M. Goerlitzer, N. Wyrsch, M. Vanechek. Mater. Sci. Engin., 69--70, 219 (2000)
В.В. Войтович, В.Б. Неймаш, Н.Н. Красько, А.Г. Колосюк, В.Ю. Поварчук, Р.М. Руденко, В.А. Макара, Р.В. Петруня, В.О. Юхимчук, В.В. Стрельчук. ФТП, 45, 1331 (2005)
M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
A.A. Sirenko, J.R. Fox, L.A. Akimov, X.X. Xi, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber. Sol. St. Commun., 113, 553 (2000)
H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58 (10), 739 (1986)
P. Mishra, K.P. Jain. Phys. Rev. B, 64, 073 304 (2001)
F.L. Galeener. J. Non-Cryst. Sol., 71, 373 (1985)
Y. Wang, X. Liao, H. Diao et al. Science in China (Ser. A), 45 (10), (2002)
Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 4823 (1996)
E. Monticone, A.M. Rossi, M. Rajterit, R.S. Gonnelli, V. Lacquanitit, G. Amatot. Phil. Mag. B, 80 (4), 523 (2000)
J.L. Feldman, E. Kaxiras, X.-P. Li. Phys. Rev. B, 44, 8334 (1991)
L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
С.В. Гайслер, О.И. Семенова, Р.Г. Шарафутдинов, Б.А. Колесов. ФТТ, 46, 1484 (2004)
J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A.R. Pennisi, S.L. Rosa. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
A.T. Voutsas, M.K. Hatalis, J. Boyce, A. Chiang. J. Appl. Phys., 78, 6999 (1995)
Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов. ФТП, 44, 1074 (2010)
E. Bustarred, M.A. Hachicha. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
R. Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель