Приведены результаты исследований закономерностей влияния на электронные свойства поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным покрытием низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах. Рассмотрены модельные механизмы процессов и факторы, обеспечивающие устойчивую модификацию электронных свойств поверхности кристаллов кремния за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов, определяемых химической активностью используемых рабочих газов при плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Показана принципиальная возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов с целью расширения их электрофизических и функциональных свойств.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.