"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
Шемухин А.А.1, Балакшин Ю.В.1,2, Черныш В.С.1,2, Голубков С.А.3, Егоров Н.Н.3, Сидоров А.И.3
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3НИИ Материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 4 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si+ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.
  1. T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo. Oki Techn. Rev., 71 (4), 66 (2004)
  2. Golecki, R.L. Maddox, K.M. Stika. J. Electron. Mater., 13 (2), 373 (1984)
  3. А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, А.С. Патракеев, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров, Б.А. Малюков, В.Н. Стаценко, В.Д. Чумак. ПЖТФ, 38 (19), 83 (2012)
  4. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент N 2427941 (2010)
  5. Qi-Yuan Wang, Ji-Ping Nie, Fang Yu, Zhong-Li Liu, Yuan-Huan Yu. Mater. Sci. Eng. B, 72, 189 (2000)
  6. В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
  7. А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, П.Н. Черных, В.С. Черныш. Поверхность 4, 25 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.