Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении

Шемухин А.А.¹, Балакшин Ю.В.^1,2, Черныш В.С.^1,2, Голубков С.А.³, Егоров Н.Н.³, Сидоров А.И.³

¹Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

²Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Moscow State University, Moscow, Russia

³НИИ Материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия Research Institute of Materials Science, Zelenograd, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 4 июня 2013 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si⁺ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.

T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo. Oki Techn. Rev., 71 (4), 66 (2004)
Golecki, R.L. Maddox, K.M. Stika. J. Electron. Mater., 13 (2), 373 (1984)
А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, А.С. Патракеев, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров, Б.А. Малюков, В.Н. Стаценко, В.Д. Чумак. ПЖТФ, 38 (19), 83 (2012)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент N 2427941 (2010)
Qi-Yuan Wang, Ji-Ping Nie, Fang Yu, Zhong-Li Liu, Yuan-Huan Yu. Mater. Sci. Eng. B, 72, 189 (2000)
В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, П.Н. Черных, В.С. Черныш. Поверхность 4, 25 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель