"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Разработана количественная модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении, базирующаяся на захвате дырок водородосодержащими ловушками. Часть довушек заряжается, образуя положительный объемный заряд в диэлектрике. Другая часть распадается с освобождением положительных ионов водорода, которые мигрируют в электрическом поле диэлектрика к межфазной границе с полупроводиником, где приводят к депассивации поверхностных состояний. Учитывается заряжение поверхностных состояний как в процессе облучения, так и при измерении порогового напряжения.
  1. Ф.П. Коршунов, Ю В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
  2. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  3. T.R. Oldham. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
  4. H.L. Hughes, J.M. Benedetto. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 500 (2003)
  5. В.А. Гуртов. Твердотельная электроника (М., Техносфера, 2008) с. 67
  6. P.M. Lenahan. P.V. Dressendorfer. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
  7. B.B. Triplett, T. Takahashi, T. Sugano. Appl. Phys. Lett., 50, 1163 (1987)
  8. V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Phys.: Condens Matter., 12, 2285 (2000)
  9. V.V. Afanas'ev, G.J. Andriaenssens, A.J. Stesmans. Microelectron. Eng., 59, 85 (2001)
  10. A. Rivera, A. van Veen, J.M.M. de Nijs, P. Balk. Sol. St. Electron., 46, 1775 (2002)
  11. Y. Nishi. Jpn. J. Appl. Phys., 10, 52 (1971)
  12. E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63, 1510 (1993)
  13. D.L. Griscom. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
  14. A.G. Revesz. Electrochem. Soc., 126, 122 (1979)
  15. B.J. Mrstik, R.W. Bendell. J. Appl. Phys., 59, 3012 (1991)
  16. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-27 (6), 1651 (1980)
  17. М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин. Микроэлектроника, 35 (6), 382 (2006)
  18. М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Е.В. Бондаренко, В.Р. Гитлин, В.А. Макаренко, А.Е. Бормонтов. Вестн. ВГУ. Сер. Физика и математика, N 2, 30 (2008)
  19. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., 11 (11), 749 (1967)
  20. J.M. Benedetto, H.E. Boech. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986)
  21. R.J. Krantz, L.W. Aulerman, T.C. Sietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
  22. H.E. Boech, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986)
  23. N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1234 (1988)
  24. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
  25. А.М. Емельянов. ФТТ, 52 (6), 1060 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.