"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
Бабичев А.В.1,2, Лазаренко А.А.1, Никитина Е.В.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Впервые представлены результаты по созданию светодиодов белого свечения на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN на подложке фосфида галлия. Продемонстрирована электролюминесценция гетероструктур с непрерывным спектром в диапазоне длин волн от 350 до 1050 нм. Вывод света через боковые грани и лицевую часть образца позволил реализовать белое свечение за счет сверхширокого спектра электролюминесценции, перекрывающего весь видимый диапазон и часть ближнего инфракрасного диапазона. При выводе излучения через подложку коротковолновая часть спектра поглощается в слое GaP.
  1. H. Wu, X. Zhang, C. Guo, J. Xu, M. Wu, Q. Su. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (6), 1160 (2005)
  2. K.Y. Ko, D.H. Lee, K.H. Jang, S.Y. Choi, Y.T. Kim. USA Patent 20130020931 issued January 24, 2013
  3. E. Jang, J. Shinae, J. Hyosook, L. Jungeun, K. Byungki, K. Younghwan. Adv. Mater., 22 (28), 3076 (2010)
  4. S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The blue laser diode: the complete story (Springer, 2000)
  5. O.N. Ermakov, M.G. Kaplunov, O.N. Efimov, I.K. Yakushchenko, M.Yu. Belov, M.F. Budyka. Microelectron. Eng., 68, 208 (2003)
  6. F. Caruso, M. Mosca, R. Macaluso, E. Feltin, C. Cali. Electron. Lett., 48 (22), 1417 (2012)
  7. C.-Y. Chen, C.N. Huang, F.C. Hwang, M.H. Hong, E.G. Lean. USA Patent 6163038, issued December 19, 2000
  8. S.J. Chua, P. Li, M. Hao, J. Zhang. USA Patent 6645885, issued November 11, 2003
  9. С.-Д. Чуа, П. Чэнь, Ч. Чэнь, Э. Такасука. Светодиод белого свечения на основе нитрида элементов III группы (22 Сентября, 2006). http://www.freepatent.ru/images/ patents/70/2392695/patent-2392695.pdf
  10. T. Kim, J. Kim, M. Yang, Y. Ko. Monolithic White LED with Controllable Color Temperature. In CLEO: Applications and Technology. Optical Society of America, 2012
  11. T. Kim, J. Kim, M. Yang, S. Lee, Y. Park, Y. Ko, Y. Cho. White emission from InGaN multi-quantum wells on c-planes and nano-pyramids hybrid structure. In Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2011 Conference on, p. 1-2. IEEE, 2011
  12. T. Kim, J. Kim, M. Yang, Y. Park, U.I. Chung, Y. Ko, Y. Cho. Polychromatic white LED using GaN nano pyramid structure. In SPIE OPTO, p. 86410E-86410E. Int. Soc. Opt. Photon., 2013
  13. H. Yonezu. Semicond. Sci. Technol., 17, 762 (2002)
  14. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 3251 (2000)
  15. I.A. Buyanova, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, H.P. Xin, C. W. Tu. Appl. Phys. Lett., 81, 52 (2002)
  16. M. Kaneko, T. Hashizume, V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 101, 103 707 (2007)
  17. А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 36 (9), 1056 (2002)
  18. H.C. Alt, A.Y. Egorov, H. Riechert, J.D. Meyer, B. Wiedemann. Physica B: Condens. Matter, 308, 877 (2001)
  19. P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64 (11), 115 208 (2001)
  20. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  21. C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, W. Knap, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager, E.E. Haller, J.F. Geisz, J.M. Olson. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2409 (2000)
  22. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 3251 (2000)
  23. А.Ю. Егоров, Е.В. Никитина, А.В. Бабичев. Патент РФ N 2013128322, от 20.06.2013

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.