"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов
Дорофеев С.Г.1, Кононов Н.Н.2, Звероловлев В.М.3, Зиновьев К.В.3, Суханов В.Н.3, Суханов Н.М.3, Грибов Б.Г.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт особо чистых материалов" ОАО "НИИОСЧМ", Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Изучено влияние тонких пленок из наночастиц кремния (nc-Si) на увеличение эффективности преобразования света солнечными элементами из монокристаллического кремния при нанесении таких пленок на их лицевую поверхность. Для формирования тонких пленок использовались нелюминесцирующие наночастицы кремния, имеющие средний диаметр 12 нм с оболочкой из SiOx (0≤ x≤2), и наночастицы кремния диаметром 2 нм с органической оболочкой из октадецена, обладающие способностью к фотолюминесценции в красной области спектра. Обнаружено, что нанесение пленок увеличивает эффективность преобразования солнечных элементов на 12% относительно первоначальной величины. Из анализа вольт-амперных характеристик и спектров отражения солнечных элементов сделан вывод о том, что увеличение эффективности преобразования определяется пассивацией наночастицами дефектов на лицевой поверхности солнечного элемента и уменьшением отражения света от нее.
  1. F. Einsele, W. Beyer, U. Rau. J.Appl. Phys., 112, 054 905 (2012)
  2. K.T. Butler, J.H. Harding, M.P.W.E. Lamers, A.W. Weeber. J. Appl. Phys., 112, 094 303 (2012)
  3. Y. Nasuno, M. Kondo, A. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 78(16), 2330 (2001)
  4. K. Alberi, H.M. Branz, H. Guthrey, M.J. Romero, I.T. Martin, C.W. Teplin, P. Stradins, D.L. Young. Appl. Phys. Lett., 101, 123 510 (2012)
  5. K. Watanabe, R. Tsuchiya, T. Mine, Y. Yonamoto, N. Akamatsu, M. Hatano. Appl. Phys. Lett., 101, 153 902 (2012)
  6. J. De la Torre, G. Bremond, M. Lemiti, G. Guillot, P. Mur, N. Buffet. Mater. Sci. Engin. C, 26, 427 (2006)
  7. Eun-Chel Cho, Sangwook Park, Xiaojing Hao, Dengyuan Song, Gavin Conibeer, Sang-Cheo Park, Martin A. Green. Nanotechnology, 19, 245 201 (2008)
  8. Junshuai Li, HongYu Yu, She Mein Wong, Gang Zhang, Xiaowei Sun, Patrick Guo-Qiang Lo, Dim-Lee Kwong. Appl. Phys. Lett., 95, 033 102 (2009)
  9. G. Conibeera, M. Greena, R. Corkisha, Young Choa, Eun-Chel Chob, Chu-Wei Jianga,Thipwan Fangsuwannaraka, E. Pinka, Y. Huanga, T. Puzzera, T. Trupkea, B. Richards, A. Shalava, Kuo-lung Lind. Thin Sol. Films, 511-512, 654 (2006)
  10. Dong Yeol Shin, Jae Hee Park, Sung Kim, Suk-Ho Choi, Kyung Joong Kim. J. Appl. Phys., 112, 104 304 (2012)
  11. Yasufumi Tsunomura, Yukihiro Yoshimine, Mikio Taguchi, Toshiaki Baba, Toshihiro Kinoshita, Hiroshi Kanno, Hitoshi Sakata, Eiji Maruyama, Makoto Tanaka. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 93 (6, 7), 670 (2009)
  12. F. Sgrignuoli, G. Paternoster, A. Marconi, P. Ingenhoven, A. Anopchenco, G. Pucker, L. Pavesi. J. Appl. Phys., 111, 034 303 (2012)
  13. V. v Svrv cek, A. Slaoui, J.C. Muller. Thin Sol. Films, 451-452, 384 (2004)
  14. M. Stupca, M. Alsalhi, T. Al Saud, A. Almuhanna, M.H. Nayfeh. Appl. Phys. Lett., 91, 063 107 (2007)
  15. Н.Н. Кононов, С.Г. Дорофеев, Р.А. Миронов, В.Г. Плотниченко, Е.М. Дианов, А.А. Ищенко. ФТП, 54 (8), 1038 (2011)
  16. S.G. Dorofeev, A.A. Ischenko, N.N. Kononov, G.V. Fetisov. Current Appl. Phys., 12, 718 (2012)
  17. Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник, Н.Н. Герасименко, Д.И. Смирнов, В.Н. Суханов. Изв. вузов. Электроника, 4, 13 (2012)
  18. A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, M. Wang, L. Pavesi, G. Pucker, P. Bellutti. J. Appl. Phys., 106, 033 104 (2009)
  19. S. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (John Wiley\& Sons, N. Y., 1981)
  20. Yoshiaki Kamigaki, Kenetsu Yokogawa, Takashi Hashimoto, Toshio Uemura. J. Appl. Phys., 80 (6), 3430 (1996)
  21. E.H. Poindexter, G.J. Gerardi, M.-E. Rueckel, P.J. Caplan, N.M. Johnson, D.K. Biegelsen. J. Appl. Phys. 56, 2844 (1984)
  22. P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys. 55, 3495 (1984)
  23. С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, А.А. Ищенко, Р.Б. Васильев, М.А. Гольдштрах, К.В. Зайцева, В.В. Колташев, В.Г. Плотниченко, О.В. Тихоневич. ФТП, 43 (11), 1460 (2009)
  24. Н.Н. Кононов, Г.П. Кузьмин, А.Н. Орлов, А.А. Сурков, О.В. Тихоневич. ФТП, 39 (7), 868 (2005)
  25. S. Godefroo, M. Hayne, M. Jivanescu, A. Stesmans, M. Zacharias, O.I. Lebedev, G. Van Tendeloo, V.V. Moshchalkov. Nature Nanotechnology, 3, 174 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.