Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия 
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF6/O2/Ar (5-40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200-300 Вт); соотношения потоков рабочих газов (5:1:(0-10)) и температуры нижнего электрода (5-50oC). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в рязряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности S=12 и коэффициентом анизотропии травления A=13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au.
- C. Cismaru, H. Banbrook, H. Shen, P.J. Zampardi. Proc. CS MANTECH Conf. (Palm Springs, USA, 2011)
- TriQuint 0.35-mum Power pHEMT 3MI Process Data Sheet.
- M. Rosker, C. Bozada, H. Dietrich, A. Hung. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
- C. Martin. Proc. CS MANTECH Conf. (Miami, USA, 2004)
- H. Steiglauer, G. Bodege, D. Ottlin, M. Ilgen, H. Blanck, D. Behammer. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
- L.F. Voss, K. Ip, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (2), 487 (2008)
- N. Okamoto, T. Ohki, S. Masuda, M. Kanamura. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
- J. Ruan, S. Roadman, C. Lee, C. Sellers, M. Regan. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
- J. Ruan, S. Roadman, W. Skelton. Proc. CS MANTECH Cons. (Portland, USA, 2009)
- E.J.H. Collart, J.A.G. Baggerman, R.J. Visser. Proc. ISPC-10 Conf. (Bochum, Germany, 1991) 2.2-21, p. 2
- A.N. Campbell, A.W. Mullendore, C.R. Hills, J.B. Vandersande. J. Mater. Sci., 23, 4049 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
