"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов
Осипов К.Ю.1, Великовский Л.Э.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF6/O2/Ar (5-40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200-300 Вт); соотношения потоков рабочих газов (5:1:(0-10)) и температуры нижнего электрода (5-50oC). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в рязряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности S=12 и коэффициентом анизотропии травления A=13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au.
  1. C. Cismaru, H. Banbrook, H. Shen, P.J. Zampardi. Proc. CS MANTECH Conf. (Palm Springs, USA, 2011)
  2. TriQuint 0.35-mum Power pHEMT 3MI Process Data Sheet.
  3. M. Rosker, C. Bozada, H. Dietrich, A. Hung. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  4. C. Martin. Proc. CS MANTECH Conf. (Miami, USA, 2004)
  5. H. Steiglauer, G. Bodege, D. Ottlin, M. Ilgen, H. Blanck, D. Behammer. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  6. L.F. Voss, K. Ip, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (2), 487 (2008)
  7. N. Okamoto, T. Ohki, S. Masuda, M. Kanamura. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  8. J. Ruan, S. Roadman, C. Lee, C. Sellers, M. Regan. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  9. J. Ruan, S. Roadman, W. Skelton. Proc. CS MANTECH Cons. (Portland, USA, 2009)
  10. E.J.H. Collart, J.A.G. Baggerman, R.J. Visser. Proc. ISPC-10 Conf. (Bochum, Germany, 1991) 2.2-21, p. 2
  11. A.N. Campbell, A.W. Mullendore, C.R. Hills, J.B. Vandersande. J. Mater. Sci., 23, 4049 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.