Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF₆/O₂/Ar (5-40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200-300 Вт); соотношения потоков рабочих газов (5:1:(0-10)) и температуры нижнего электрода (5-50^oC). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в рязряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности S=12 и коэффициентом анизотропии травления A=13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.