Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (lambda=1050-1070 нм)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Исследованы температурные зависимости пороговой плотности тока и пороговой концентрации в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн lambda=1050-1070 нм). Показано, что в полупроводниковых лазерах при температурах выше комнатной температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается, что обусловлено температурной делокализацией носителей заряда в волноводные слои лазерной гетероструктуры. Установлено, что резкое снижение температурной стабильности пороговой плотности тока с увеличением температуры коррелирует с совмещением положения уровня Ферми с дном зоны проводимости волноводного слоя лазерной гетероструктуры. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины и числа квантовых ям в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность пороговой плотности тока. Показано, что характеристический параметр T0 в диапазоне температур (-20)-(+70o)C достигает величины 220 K.
- Ж.И. Алфёров, В.М. Адреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4 (9), 1826 (1970)
- И.С. Тарасов. Квант. электрон., 40 (8), 661 (1020)
- М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1417 (2010)
- С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (5), 688 (2010)
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Подоскин, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1411 (2010)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 39 (9), 1252 (2005)
- L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2011)
- A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, Kr. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021 107 (2012)
- P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
- L. Fan, Ch. Cao, G. Thaler, Br. Caliva, Ir. Ai, S. Das, R. Walker, L. Zeng, M. McElhinney, Pr. Triagarajan. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 17 (6), 1727 (2011)
- А.В. Савельев, И.И. Новиков, А.В. Чунарева, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов, А.С. Паюсов, Е.М. Аракчеева, В.А. Щукин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 45 (4), 560 (2011)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.C. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1412 (2004)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
- Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
