"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (lambda=1050-1070 нм)
Шашкин И.С.1, Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Рудова Н.А.1, Соколова З.Н1, Слипченко С.О.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Веселов Д.А.1, Бахвалов К.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы температурные зависимости пороговой плотности тока и пороговой концентрации в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн lambda=1050-1070 нм). Показано, что в полупроводниковых лазерах при температурах выше комнатной температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается, что обусловлено температурной делокализацией носителей заряда в волноводные слои лазерной гетероструктуры. Установлено, что резкое снижение температурной стабильности пороговой плотности тока с увеличением температуры коррелирует с совмещением положения уровня Ферми с дном зоны проводимости волноводного слоя лазерной гетероструктуры. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины и числа квантовых ям в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность пороговой плотности тока. Показано, что характеристический параметр T0 в диапазоне температур (-20)-(+70o)C достигает величины 220 K.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Адреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4 (9), 1826 (1970)
  2. И.С. Тарасов. Квант. электрон., 40 (8), 661 (1020)
  3. М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1417 (2010)
  4. С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (5), 688 (2010)
  5. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Подоскин, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1411 (2010)
  6. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  7. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 39 (9), 1252 (2005)
  8. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2011)
  9. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, Kr. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021 107 (2012)
  10. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
  11. L. Fan, Ch. Cao, G. Thaler, Br. Caliva, Ir. Ai, S. Das, R. Walker, L. Zeng, M. McElhinney, Pr. Triagarajan. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 17 (6), 1727 (2011)
  12. А.В. Савельев, И.И. Новиков, А.В. Чунарева, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов, А.С. Паюсов, Е.М. Аракчеева, В.А. Щукин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 45 (4), 560 (2011)
  13. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.C. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  14. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1412 (2004)
  15. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  16. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.