Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO₂ в процессе быстрого термического отжига

Конакова Р.В.¹, Коломыс А.Ф.¹, Литвин О.С.¹, Охрименко О.Б.¹, Стрельчук В.В.¹, Светличный А.В.², Линец Л.Г.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ), Таганрог, Россия

Поступила в редакцию: 27 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции структур SiC/por-SiC/TiO₂ до и после быстрой термической обработки. Показано, что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерных для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в 6H-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в пористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении.

Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова. ФТП, 36, 812 (2002)
Л.М. Сорокин, Н.С. Савкина, В.Б. Шуман, А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, Дж. Хатчмсон. Письма ЖТФ, 28, 23 (2002)
G. Polupan, T.V. Tortchynska. Thin Sol. Films, 518, S208 (2010)
T.V. Torchynska, A. Di az Cano, M. Dybic, S. Ostapenko, M. Mynbaeva. Physica B, 376--377, 367 (2006)
Ashutosh Sagar, R.M. Feenstra, C.K. Inoki, T.S. Kuan, D.D. Koleske. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 798, Y9.6.1 (2004)
А.А. Ситникова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, В.П. Улин. ФТП, 39, 552 (2005)
И.В. Седова, Т.В. Львова, В.П. Улин, С.В. Сорокин, А.В. Анкудинов, В.Л. Берковиц, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП, 36, 59 (2002)
Л.М. Сорокин, Г.Н. Мосина, А.С. Трегубова, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 30, 44 (2004)
Ю.Ю. Бачериков, Р.В. Конакова, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный, Н.Н. Московченко. Письма ЖТФ, 32, 6 (2006)
Ю.Ю. Бачериков, Н.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, О.С. Кондратенко, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, Л.М. Капитанчук, А.М. Светличный, Н.Н. Московченко. ЖТФ, 78, 130 (2008)
Li Xiang-Biao, Shi Er-Wei, Chen Zhi-Zhan, Xiao Bing. Chinese J. Struct. Chem., 26, 1196 (2007)
M.M. Rodriguez, J.M. Rivas, A.D. Cano, T.V. Torchynska, J.P. Gomez, G.G. Gasga, S.J. Sandoval, M. Mynbaeva. Microelectronics J., 39, 494 (2008)
T.V. Torchynska, A. Diaz Cano, M. Dybic, S. Ostapenko, L. Shcherbyna, M. Morales Rodriges, J. Morales Rivas. First Int. Workshop Semicond. Nanocrystals, SEMINANO 2005 (Budapest, 2005) v. 2, p. 383
T.V. Torchynska, A. Di az Cano, S. Jimenez Sandoval, M. Dybic, S. Ostapenko, M. Mynbaeva. Microelectronics J., 36, 536 (2005)
A.M. Rossi, F. Giorgis, V. Ballarini, S. Borini. Phys. Status Solidi A, 202, 1548 (2005)
A.M. Rossi, V. Ballarini, S. Ferrero, F. Giorgis. Mater. Sci. Forum, 457--460, 1475 (2004)
T.L. Rittenhouse, P.W. Bohn, T.K. Hossain, I. Adesida, J. Lindesay, A. Marcus. J. Appl. Phys., 95, 490 (2004)
T.L. Rittenhousea, P.W. Bohna, I. Adesida. Solid State Commun., 126, 245 (2003)
S. Kim, J.E. Spanier, I.P. Herman. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 5875 (2000)
A.M. Danishevskii, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Sitnikova, V.B. Shuman, A.A. Suvorova. Semicond. Sci. Technol., 13, 1111 (1998)
T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
Handbook of Raman Spectra. www.ens-lyon.fr/LST/Raman
Romanian Database of Raman Spectroscopy. http://rdrs.uaic.ro/index.html
А.А. Лебедев, И.С. Котоусова, А.В. Лаврентьев, С.П. Лебедев, П.А. Дементьев, В.Н. Петров, А.Н. Смирнов, А.Н. Титков. ФТТ, 52, 799 (2010)
А.А. Лебедев, Н.В. Агринская, С.П. Лебедев, М.Г. Мынбаева, В.Н. Петров, А.Н. Смирнов, А.М. Стрельчук, А.Н. Титков, Д.В. Шамшур. ФТП, 45, 634 (2011)
В.Б. Шуман, Н.С. Савкина. Письма ЖТФ, 30, 89 (2004)
В.Ф. Агекян, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, Ю.А. Степанов. ФТП, 31, 251 (1997)
O. Jessensky, G. Muller, U. Gosele. Thin Sol. Films, 297, 224 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель