Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в p-Ge с удельным сопротивлением 20-40 Ом·см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0.8,3,30)·10¹⁴ см^-2). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов R_p. Отжиг при температурах 250-700^oC (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700^oC в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300-400^oC, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.