"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионное легирование германия натрием
Король В.М.1, Kudriavtsev Yu.2
1НИИ физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
2Dep. Ingenieria Electrica, CINVESTAV, Apdo Postal 14-740 Mexico, DF Mexico
Поступила в редакцию: 22 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в p-Ge с удельным сопротивлением 20--40 Ом·см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0.8,3,30)·1014 см-2). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов Rp. Отжиг при температурах 250-700oC (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700oC в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300-400oC, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na.
  1. Х. Рейс, K.S. Фуллер. В кн.: Полупроводники, под ред. Н.Б. Хенней (М., ИЛ, 1962) гл. 6, c. 202
  2. L. Svob. Phys. Status Solidi, 7, K1 (1964)
  3. L. Svob. Solid State Electron., 10, 991 (1967)
  4. E.P. Parry, M.S. Porter, J.O. McCaldin. Solid State Electron., 10, 991 (1967)
  5. А.В. Заставной, В.М. Король, А.В. Проценко. Высокочистые вещества, 1, 62 (1991)
  6. V.M. Korol'. Phys. Status Solidi A, 110, 9 (1988)
  7. Л.А. Гончаров, Н.Г. Чавлейшвили. Неорг. матер., 10, 540 (1974)
  8. M. Stojic, V. Spiric, D. Kostoski. Inst. Phys. Conf. Ser. N 31, Chap. 3, p. 304 (1977)
  9. J.O. McCaldin, M.J. Little, A.E. Widmer. J. Phys. Chem. Sol., 26, 1119 (1965)
  10. В.М. Король, А.В. Заставной. Поверхность, N 5, 74 (2001)
  11. S. Decoster, A. Vantomme. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 404 (2009)
  12. S. Koffel, P. Scheiblin, A. Claverie, G. Benassayag. J. Appl. Phys., 105, 013 528 (2009)
  13. Kunihiro Suzuki (2011). Monte Carlo Simulation for Ion Implantation Profiles, Amorphous Layer Thickness Formed by the Ion Implatnation, and Database Based on Pearson Function, Applications of Monte Carlo Method in Science and Engineering, Shaul Mordechai (ed.), ISBN: 978-953-307-69-1, InTech. Available from: http://www.intchopen.com/articles/show/title/monte-carlo-simulation-for -ion-implantation-profiles-amorphous-layer-thickness-formed-by-the-ion-imp
  14. K.S. Jones, S. Prussin, E.R. Weber. Appl. Phys. A 45, 1 (1988)
  15. J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
  16. G.D. Alton, L.O. Love. Can. J. Phys., 46, 695 (1968)
  17. В.М. Король, Ю.А. Кудрявцев, А.В. Заставной, С.А. Веденяпин. Поверхность, N 4, 41 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.