На основе химических элементов IV группы, исходя из зарядового состояния и близости ковалентных радиусов молекул растворобразующих компонентов, предсказана возможность образования твердых растворов замещения, таких как: Si_1-xGe_x, Si_1-xSn_x, (Si₂)_1-x(SnC)_x, Ge_1-xSn_x, (Ge₂)_1-x(SiSn)_x, (SiC)_1-x(GeC)_x, (GeC)_1-x(SnC)_x, (SiGe)_1-x(SnC)_x. Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения Ge_1-xSn_x (0=< x=<0.03) на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, спектральная фоточувствительность и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-Ge-p-Ge_1-xSn_x. Получены значения параметров решетки эпитаксиальной пленки a_f=5.6812 Angstrem и подложки a_s=5.6561 Angstrem. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-Ge-p-Ge_1-xSn_x охватывает даиапазон энергии фотонов от 0.4 до 1.4 эВ. Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I₀exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) степенной зависимостью I propto V^alpha, со значениями: alpha=2 при V=(0.5-0.9) В, alpha=1.3 при V=(0.9-1.4) В и alpha=2 при V>1.4 В. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p-структуры с помощью дрейфового механизма переноса тока в режиме омической релаксации с учетом инерционности электронного обмена внутри рекомбинационного комплекса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.