Вышедшие номера
Выращивание пленок твердого раствора Ge1-xSnx и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Асатова У.П.2
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

На основе химических элементов IV группы, исходя из зарядового состояния и близости ковалентных радиусов молекул растворобразующих компонентов, предсказана возможность образования твердых растворов замещения, таких как: Si1-xGex, Si1-xSnx, (Si2)1-x(SnC)x, Ge1-xSnx, (Ge2)1-x(SiSn)x, (SiC)1-x(GeC)x, (GeC)1-x(SnC)x, (SiGe)1-x(SnC)x. Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения Ge1-xSnx (0=< x=<0.03) на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, спектральная фоточувствительность и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-Ge-p-Ge1-xSnx. Получены значения параметров решетки эпитаксиальной пленки af=5.6812 Angstrem и подложки as=5.6561 Angstrem. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-Ge-p-Ge1-xSnx охватывает даиапазон энергии фотонов от 0.4 до 1.4 эВ. Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) степенной зависимостью I propto Valpha, со значениями: alpha=2 при V=(0.5-0.9) В, alpha=1.3 при V=(0.9-1.4) В и alpha=2 при V>1.4 В. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p-структуры с помощью дрейфового механизма переноса тока в режиме омической релаксации с учетом инерционности электронного обмена внутри рекомбинационного комплекса.