"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание пленок твердого раствора Ge1-xSnx и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Асатова У.П.2
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

На основе химических элементов IV группы, исходя из зарядового состояния и близости ковалентных радиусов молекул растворобразующих компонентов, предсказана возможность образования твердых растворов замещения, таких как: Si1-xGex, Si1-xSnx, (Si2)1-x(SnC)x, Ge1-xSnx, (Ge2)1-x(SiSn)x, (SiC)1-x(GeC)x, (GeC)1-x(SnC)x, (SiGe)1-x(SnC)x. Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения Ge1-xSnx (0=< x=<0.03) на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, спектральная фоточувствительность и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-Ge-p-Ge1-xSnx. Получены значения параметров решетки эпитаксиальной пленки af=5.6812 Angstrem и подложки as=5.6561 Angstrem. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-Ge-p-Ge1-xSnx охватывает даиапазон энергии фотонов от 0.4 до 1.4 эВ. Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) степенной зависимостью I propto Valpha, со значениями: alpha=2 при V=(0.5-0.9) В, alpha=1.3 при V=(0.9-1.4) В и alpha=2 при V>1.4 В. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p-структуры с помощью дрейфового механизма переноса тока в режиме омической релаксации с учетом инерционности электронного обмена внутри рекомбинационного комплекса.
  1. Regina Ragan, Kyu S. Min, Harry A. Atwater. Mater. Sci. Engin. B, 87, 204 (2001)
  2. M.F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier, A. Nylandsted Larsen. Appl. Phys. A, 68, 259 (1999)
  3. Kyu S. Min, Harry A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 72 (15), 1884 (1998)
  4. А.С. Саидов, А.Ш. Раззаков, Э.А. Кошчанов. Письма ЖТФ, 27 (16), 71 (2001)
  5. Yu.G. Korolyuk, V.G. Deibuk, Ya.I. Vyklyuk. J. Phys. Studies, 8 (1), 77 (2004)
  6. V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (1), 1 (2005)
  7. V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 5 (3), 247 (2002)
  8. T. Soma, K. Kamada, H. Matsuo Kagaya. Phys. Status Solidi B, 147, 109 (1988)
  9. B. Roldan Cuenya, W. Keune. Phys. Rev. B, 64, 2353 (2001)
  10. А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М. Каланов, Х.М. Мадаминов. Письма ЖТФ, 36 (17), 104 (2010)
  11. K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol., 22, 29 (2007)
  12. R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina. H. von Koenel. Semicond. Sci. Technol., 21, 775 (2006)
  13. Н.Н Сирота. Физико-химическая природа фаз переменного состава (Минск, Наука и техника, 1970)
  14. M.S. Saidov. Appl. Solar Energy, 33 (5), 48 (1997)
  15. M.S. Saidov. Appl. Solar Energy, 35 (3), 48 (1999)
  16. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
  17. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
  18. А.С. Саидов, Э.А. Кошчанов, А.Ш. Раззаков, Д.В. Сапаров, В.А. Рысаева. Узб. физ. журн., 1, 16 (1997)
  19. В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич. Теория рассеяния рентгеновских лучей (М., Изд-во МГУ, 1972)
  20. С.С. Горелик, Л.Н. Росторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронографический анализ (М., Металлургия, 1970)
  21. В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (8), 1631 (1958)
  22. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
  23. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзбССР, 4, 25 (1989)
  24. А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП, 30 (10), 1729 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.