"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Comparative assessment of III-V heterostructure and silicon underlap double gate MOSFETs
Pardeshi Hemant1, Raj Godwin1, Pati Sudhansu Kumar1, Mohankumar N.2, Sarkar Chandan Kumar1
1Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata-700 032, West Bengal, India
2SKP Engineering College, Tiruvannamalai, Tamilnadu-606 611, India
Поступила в редакцию: 11 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Comparative assessment of III-V heterostructure and silicon underlap DG-MOSFETs, is done using 2D Sentaurus TCAD simulation. III-V heterostructure device has narrow-band In0.53Ga0.47As and wide-band InP layers for body, and high-K gate dielectric. Density gradient model is used for simulation and interface traps are considered. Benchmarking of simulation results show that III-V device provides higher on current, lesser delay, lower energy-delay product and lower DIBL than silicon device. However III-V device has higher SS and lower Ion/Ioff than silicon device. The results indicate that there is a need to optimize the Ion/Ioff, SS and DIBL values for specific circuits.
  • S. Oktyabrsky, D.Ye. Peide. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. 1st edn / (Springer Heidelberg, 2010)
  • R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, M. Radosavljevic. IEEE Trans. on Nanotechnol., 4, 153 (2005)
  • S. Datta, G. Dewey, M. Doczy et al. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting, 1, 653 (2003)
  • T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Mizuno, S. Takagi. IEEE Trans. Electron. Dev., 50, 1328 (2003)
  • H. Shang, K.L. Lee, P. Kozlowski et al. Appl. Phys. Lett., 83, 5443 (2003)
  • A. Bansal, B.C. Paul, K. Roy. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 256 (2005)
  • K. Majumdar, P. Majhi, N. Bhat, R. Jammy. IEEE Trans. Nanotechnol., 9, 342 (2010)
  • K. Majumdar, R.S. Konjady, R.T. Suryaprakash, N. Bhat. IEEE Trans. Nanotechnol., 10, 1249 (2011)
  • R. Chau, S. Datta, A. Majumdar, CSIC 2005, Digest IEEE, 1, 17 (2005)
  • A. Bansal, K. Roy. IEEE Trans. Electron. Dev., 54, 1793 (2007)
  • V. Trivedi, J.G. Fossum, M.M. Chowdhury. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 56 (2005)
  • Synopsys. TCAD Sentaurus device user's manual. Mountain View, CA (2009)
  • R. Chau et. al. IEEE Trans. Nanotechnol., 4, 153 (2005)
  • A. Nainani, Z. Yuan, T. Krishnamohan, K. Saraswat. Proc. Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 103 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.