Вышедшие номера
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
Пономарев Д.С.1, Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.2, Климов Е.А.2, Хабибуллин Р.А.1, Кульбачинский В.А.1, Юзеева Н.А.3
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова-де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*c с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении m*c в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить m*c на 26% по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In0.53Ga0.47As.