Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs

Пономарев Д.С.¹, Васильевский И.С.¹, Галиев Г.Б.², Климов Е.А.², Хабибуллин Р.А.¹, Кульбачинский В.А.¹, Юзеева Н.А.³

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

²Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 22 сентября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова-де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m^*_c с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении m^*_c в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить m^*_c на 26% по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In_0.53Ga_0.47As.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 573 (2002)
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 92, 053 706 (2005)
W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 67 (6), 801 (1995)
Y. Chen, Y.J. Chen, Y.W. Chen, Y.J. Li, T.B. Wang, C.L. Wu. Sol. St. Electron., 48, 119 (2004)
J. Hu, K. Saraswa, H. Philip Wong. Appl. Phys. Lett., 98, 062 107 (2011)
T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishie. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 325 (1992)
J. Schneider, J. Pietralla, H. Heinecke. Cryst. Growth, 175/176, 184 (1997)
А.Л. Васильев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Р.М. Имамов, Е.А. Климов, М.В. Ковальчук, Д.С. Пономарев, В.В. Роддатис, И.А. Субботин. Кристаллография, 56 (2), 324 (2011)
T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. Appl. Phys. Lett., 65, 1263 (1994)
H. Sexl, G. Bohm, D. Xu, H. Heib, G. Trakle, G. Weimann, G. Abstreiter. J. Cryst. Growth, 175/176, 915 (1997)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 118, 27 (1974)
V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.A. Rogozin, Yu.V. Fedorov, Yu.V. Khabarov, A. de Visser. Semicond. Sci. Technol., 17, 947 (2002)
R. Driad, R. Aidam, Q. Yang, M. Maier, H. Gullich, M. Schlechtweg, O. Ambacher. Appl. Phys. Lett., 98, 043 503 (2011)
J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V.J. Juciene. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Semiconductors, 41, 1074 (2007)
Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 34 (9), 1053 (2000)
J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V. Juciene. ФТП, 31 (1), 85 (1997)
T. Kim, M. Jung, D. Lee, J. Kim, K. Yoo, J. Lee, S. Ryu. J. Appl. Phys., 82 (9), 4388 (1997)
T. Kim, M. Jung. Sol. St. Commum., 109, 483 (1997)
T. Kim, M. Jung, H. Park, S. Lee. Phys. Rev. B, 52 (3), 1467 (1995)
Б.Г. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
Н.С. Аверкиев, В.А. Березовец, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, Р.В. Парфеньев, К.С. Романов. ФТП, 46 (11), 2083 (2004)
T. Kim, M. Jung, K.H. Yoo. J. Phys. Chem. Sol., 61, 1769 (2002)
T. Kim., D. Choo, K. Yoo, C. Meining, B. McCombe. Sol. St. Commun, 129, 334 (2004)
R.F. Korf, H.P. Wei, A.P. Perley, G. Livescu. Appl. Phys. Lett., 60 (19), 2386 (1992)
W. Chen, M. Fritze, W. Walecki, D. Ackley, A.V. Nurmikko, M. Hong, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 45, 8464 (1992)
T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
N. Kotera, H. Arimoto, N. Miura, K. Shibata, Y. Ueki, K. Tanaka, H. Nakamura, T. Mishima, K. Aiki, M. Washima. Phys. E, 11, 219 (2001)
Д. Шенберг. Магнитные осцилляции в металлах (М., Мир, 1986) гл. 2. [Пер. с англ.: D. Shoenberg. Magnetic oscillations in metals. (Cambridge University Press, 1984)].
Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП, 32 (1), 24 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель