Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC

Иванов П.А.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 сентября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены меза-эпитаксиальные p⁺-p-n₀-n⁺-диоды на основе 4H-SiC и измерены характеристики их переключения из прямого направления в обратное в режимах, характерных для быстродействующих полупроводниковых размыкателей тока - дрейфовых диодов с резким восстановлением и SOS-диодов. Обнаружено, что после короткой (~ 10 нс) импульсной накачки неравновесных носителей прямым током (плотностью 200-400 А/см²) и последующего наброса импульса обратного напряжения (с фронтом нарастания 2 нс) диоды способны обрывать обратный ток плотностью 5-40 кА/см² за время порядка или менее 0.3 нс. Обсуждается возможный механизм обнаруженного сверхбыстрого обрыва тока.

I.V. Grekhov, V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, S.V. Shenderey. Sol. St. Electron., 28, 597 (1985)
С.Н. Рукин. ПТЭ, N 4, 5 (1999)
И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175, 735 (2005)
С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Письма ЖТФ, 26, 41 (2000)
С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Письма ЖТФ, 30, 43 (2004)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонов. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
И.В. Грехов, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 37, 1148 (2003)
Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., 1968)
С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ФТП, 43, 989 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель