"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p+-p-n+-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с p-базой в диапазоне температур 77-300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC p+-p-n+-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в p-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным "диодным" участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением - регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии.
  1. С.Г. Павлов. Автореф. докт. дис. (Н. Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2010). http://ipmras.ru/UserFiles/ Diss/Pavlov\_SG.pdf
  2. П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 44 (7), 902 (2010)
  3. S.H. Koenig, R.D. Brown, W. Schillinger. Phys. Rev., 128, 1668 (1962)
  4. R.A. Reynolds. Sol. St. Electron., 11, 385 (1968)
  5. E.H. Putley. Semicond. Semimet., 1, 289 (1966)
  6. R.P. Khosla, J.R. Fischer, B.C. Burkey. Phys. Rev. B, 7, 2551 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.