Изготовлены тестовые фотодиоды, сформированные в виде разноплощадных мезаструктур размером от 30x 30 до 100x 100 мкм на основе структуры Cd_xHg_1-xTe/Si при x=0.235, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Измерены вольт-амперные характеристики диодов в темновом режиме и при засветке фоном. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами. Установлено, что зависимость фототока и темнового тока фотодиода от размера мезаструктуры проявляется в диапазоне размеров мез от 30x30 до 80x 80 мкм. При увеличении размера происходит уменьшение темнового тока и увеличение фототока. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение вольт-амперных характеристик.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.