"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника
Сорочкин А.В.1, Варавин В.С.1, Предеин А.В.1, Сабинина И.В.1, Якушев М.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Изготовлены тестовые фотодиоды, сформированные в виде разноплощадных мезаструктур размером от 30x 30 до 100x 100 мкм на основе структуры CdxHg1-xTe/Si при x=0.235, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Измерены вольт-амперные характеристики диодов в темновом режиме и при засветке фоном. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами. Установлено, что зависимость фототока и темнового тока фотодиода от размера мезаструктуры проявляется в диапазоне размеров мез от 30x30 до 80x 80 мкм. При увеличении размера происходит уменьшение темнового тока и увеличение фототока. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение вольт-амперных характеристик.
  1. V. Gopal, S. Gupta, R.K. Bhan, R. Pal, P.K. Chaudhary, V. Kumar. Infrared Phys. Technol., 44, 143 (2003)
  2. M.B. Riene, A.K. Sood, T.J. Tredwell. Photovoltaic Infrared Detectors, eds by R.K. Willardson, A.C. Beer. (Academic Press, N.Y., 1981). p. 201
  3. R. Schoolar, S. Price, J. Rosbeck. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1507 (1992)
  4. V. Gopal, S.K. Singh, R.M. Mehra. Semicond. Sci. Technol., 16, 372 (2001)
  5. А. Рогальский. Инфракрасные детекторы, пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского (Новосибирск, Наука, 2003)
  6. A.S. Gilmore, J. Bangs, A. Gerrish. J. Electron Mater., 34 (6), 913 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.