"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au--TiBx-Ge-Au-n-n+-n++- GaAs(InP)
Беляев А.Е.1, Саченко А.В.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Матвеева Л.А.1, Миленин В.В.1, Новицкий С.В.1, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au--TiBx-Ge-Au-n-n+-n++ (GaAs)-InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки rhoc может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100-400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей rhoc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.
  1. S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (John Willey \& Sons Inc., 2007)
  2. H. Eisele, G.I. Haddad. IEEE Trans. MTI 46 (6), 739 (1998)
  3. St.J. Dixon-Warren, S. Zhang, R. Kuchibhatla, E.M. Griswold, A. Shen, F. Zheng, S.R. Das. Thin Sol. Films, 472, 76 (2005)
  4. D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (John Willey \& Sons Inc., 2006)
  5. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  6. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  7. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  8. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
  9. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  10. Lu Changzhi, Chen Hoagnai, Lv Xiaioliang, Xie Xuesong, S.N. Mohamad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  11. Yue-Zong Zhang, Shi-Wei Feng, Chun-Sheng Guo, Guang-Chen Zhang, Si-Xiang Zhuang, Rong Su, Yun-Xia Bai, Chang-Zhi Lu. Chin. Phys. Lett., 25 (11), 4083 (2008)
  12. T. Clausen, O. Leistiko, I. Chorkendorff, J. Larsen. Thin Sol. Films, 232 (2), 215 (1993)
  13. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет. Нитриды галлия, индия и алюминия. Структуры и приборы. Тез. докл. 8-й Всеросс. конф. (Санкт-Петербург, 2011) с. 229
  14. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Е.Ю. Колядина, Я.Я. Кудрик, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет. Тр. 18-й Крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Вебер, 2008)
  15. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, С.А. Витусевич, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников, В.Н. Шеремет. ФТП, 44 (6), 775 (2010)
  16. Б.А. Лапшинов, А.Б. Камнев, Л.Н. Кравченко, В.Л. Оплеснин. Зарубеж. электрон. техн., 5, 58 (1987)
  17. K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer-Verlag, Wien, 1973)
  18. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. 1
  19. T. Nakanisi. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (11), 1818 (1973)
  20. В.Г. Божков, Н.М. Панова, К.В. Солдатенко, М.П. Якубеня, В.М. Заводчиков, А.А. Ятис. Электрон. техн. Сер. Материалы, 1 (62), 25 (1982)
  21. K.N. Tu. Appl. Phys. Lett., 24 (4), 221 (1975)
  22. В.Г. Божков, К.В. Солдатенко, М.П. Якубеня, В.М. Заводчиков, А.А. Ятис. Изв. вузов. Физика, 28 (1), 8 (1986)
  23. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilniys, Science and Encyclopedia Publ., 1994)
  24. Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1982)
  25. И.Б. Ермолович, Г.В. Миленин, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Р.А. Редько. ЖТФ, 77 (9), 71 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.