"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре
Пастор А.А.1, Сердобинцев П.Ю.2, Чалдышев В.В.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Условия выращивания эпитаксиального слоя обеспечивали содержание в нем избыточного мышьяка в количестве 1.2%. В таком материале время жизни носителей заряда составляет <1 пс. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. Определено время жизни неравновесных носителей заряда, оказавшееся равным (200±35) фс.
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 9, 2199 (1994)
  6. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Annual. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  7. S. Gupta, J.F. Whitaker, G.A. Mourou. IEEE J. Quantum. Electron., 28, 2464 (1992)
  8. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88, 195 (2002)
  9. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, N 1--2, 154 (1999)
  10. J.F. Roux, J.L. Coutaz, A. Krotkus. Appl. Phys. Lett., 74, 2462 (1999)
  11. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  12. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
  13. A.J. Lochtefeld, M.R. Melloch, J.C.P. Chang, E.S. Harmon. Appl. Phys. Lett., 69, 1465 (1996)
  14. U. Siegner, R. Fluck, G. Zhang, U. Keller. Appl. Phys. Lett., 69, 2566 (1996)
  15. P.W.E. Smith, S.D. Benjamin, H.S. Loka. Appl. Phys. Lett., 71, 1156 (1997)
  16. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  17. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.