Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки

Тетельбаум Д.И.¹, Тихов С.В.¹, Курильчик Е.В.¹, Менделева Ю.А.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

PDF версия

Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0.5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия.

Д.И. Тетельбаум, А.А. Трофимов, А.Ю. Азов, Е.В. Курильчик, Е.Е. Доценко. Письма ЖТФ, 24 (23), 9 (1998)
D.I. Tetelbaum, A.Yu. Azov, E.V. Kuril'chik, V.Ya. Bayankin, F.Z. Gilmutdinov, Yu.A. Mendeleva. Vaccum, 70 (2--3), 169 (2003)
Д.И. Тетельбаум, А.Ю. Азов, П.И. Голяков. Письма ЖТФ, 29 (2), 35 (2003)
Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, А.Ю. Азов, Ю.А. Менделева, М.В. Таболкин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 4, 67 (2003)
Д.И. Тетельбаум, Ю.А. Менделева, А.Ю. Азов. Письма ЖТФ, 30 (11), 65 (2004)
Ю.А. Менделева, Е.В. Курильчик, Ю.А. Новицкий, А.А. Суворкин, Д.И. Тетельбаум. Вест. ННГУ. Сер. ФТТ, 1 (8), 80 (2005)
Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, А.Ю. Азов. Изв. РАН. Сер. физ., 70 (8), 1161 (2006)
Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, А.Ю. Азов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 3, 47 (2006)
Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 3, 94 (2009)
Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, О.И. Быстрова. Вест. ННГУ. Сер. ФТТ, 5, 42 (2009)
D.I. Tetelbaum, E.V. Kuril'chik, N.D. Latisheva. Nucl. Instr. Meth., 127/128, 153 (1997)
Д.И. Тетельбаум, А.Ю. Азов. Вест. ННГУ. Сер. ФТТ, 2 (5), 120 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель