"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кремниевые полевые транзисторы как приемники излучения суб-ТГц диапазона
Бут Д.Б.1, Голенков А.Г.1, Сизов Ф.Ф.1, Сахно Н.В.1, Коринец С.В.1, Гуменюк-Сычевская Ж.В.1, Рева В.П.1, Бунчук С.Г.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследован нерезонансный отклик кремниевых метал-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов (Si-MOSFET) с длинным каналом (1-20 мкм) на излучение частотного диапазона 43-135 ГГц. Транзисторы были изготовлены по 1-мкм-проектным нормам стандартной КМОП технологии. Проведены оценки вольт-ваттной чувствительности и эквивалентной мощности шуму таких приемников с учетом рассчитанной эффективной площади детектирующего элемента. Показано, что такие транзисторы могут работать при комнатной температуре как широкополосные приемники прямого детектирования суб-ТГц излучения. Для диапазона длин волн 4-5 мм их вольт-ваттная чувствительность может достигать десятков кВ/Вт, а эквивалентная шуму мощность 10-11-10-12 Вт/sqrt(Гц)sqrt. Параметры исследуемых приемников можно улучшить с помощью оптимизированных планарных антенн.
  1. F. Sizov, A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 34, 278 (2010)
  2. F. Schuster, D. Coquillant, H. Videlier, M. Sakowicz, F. Teppe, L. Dussopt, B. Giffard, T. Skotnicki, W. Knap. Opt. Express, 19, 7827 (2011)
  3. A. Lisauskas, D. Glaab, H.G. Roskos, E. Oejefors, U.R. Pfeiffer. Proc. SPIE, 7215, 72150J (2009)
  4. Y. Deng, M.S. Shur. Solid-State Electronics, 47, 1559 (2003)
  5. F. Sizov, V. Reva, A. Golenkov, V. Zabudsky. J. Infrared Milli. Terahz. Waves, 1 (2011)
  6. M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
  7. M. Dyakonov, M. Shur. Electron Devices, IEEE Transactions on, 43, 380 (1996)
  8. D. Veksler, F. Teppe, A.P. Dmitriev, V.Y. Kachorovskii, W. Knap, M.S. Shur. Phys. Rev. B, 73, 125 328 (2006)
  9. М.Л. Орлов, А.Н. Панин, Л.К. Орлов. ФТП, 43, 816 (2009)
  10. Ф.Ф. Сизов. Фотоэлектроника для систем виденья в " невидимых" участках спектра (Киев, Академпериодика, 2008)
  11. M. Dyakonov, M. Shur. Electron Devices, IEEE Transactions on, 43, 1640 (1996)
  12. R. Tauk, F. Teppe, S. Boubanga, D. Coquillat, W. Knap, Y.M. Meziani, C. Gallon, F. Boeuf, T. Skotnicki, C. Fenouillet-Beranger, D.K. Maude, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 89, 253 511 (2006)
  13. E. Ojefors, U.R. Pfeiffer, A. Lisauskas, H.G. Roskos. Solid-State Circuits, J. IEEE, 44, 1968 (2009)
  14. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  15. A. Lisauskas, U. Pfeiffer, E. Ojeefors, P.H. Bolivar, D. Glaab, H.G. Roskos. J. Appl. Phys., 105, 114 511 (2009)
  16. E.A. Gutierrez-D., M.J. Deen, C. Claeys. Low Temperature Electronics: Physics, Devices. Circuits, and Applications (San Diego, Acad. Press, 2001)
  17. V. Dobrovolsky, F. Sizov. Semiconductor Science and Technology, 22, 103 (2007)
  18. C. Fumeaux, G.D. Boreman, W. Herrmann, F.K. Kneubuhl, H. Rothuizen. Appl. Opt., 38, 37 (1999)
  19. C.A. Balanis. Antenna Theory: Analysis and Design (3rd Editions ed., John Wiley \& Sons, 2005)
  20. D.B. Davidson. Computational Electromagnetics for RF and Microwave Engineering (N. Y., Cambridge University Press, 2008)
  21. W. Liu, X. Jin, J. Chen, M.-C. Jeng, Z. Liu, Y. Cheng, K. Chen, M. Chan, K. Hui, J. Huang, R. Tu, P.K. Ko, C. Hu. BSIM 3v3.2 MOSFET Model Users' Manual (EECS Department, University of California, Berkeley, 1998)
  22. F.F. Sizov, O.G. Golenkov, V.P. Reva, D.B. But. Vestnik Novosibirsk State University. Series: Physic, 5, 68 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.