"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100)
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Арсентьев И.Н.2, Власов Ю.Н.1, Стародубцев А.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs(100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.
  1. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  2. Г.М. Мокроусов, О.Н. Зарубина. Изв. Томского политехн. ун-та, 313 (3), 25 (2008)
  3. A. Seletes, F. Turco, J. Massies, J.P. Contour. J. Electrochem. Soc., 135 (2), 504 (1988)
  4. Н.А. Торхов. ФТП, 37 (10), 1205 (2003)
  5. ВГ. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 42 (5), 546 (2008)
  6. C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz. Sol. St. Sci. Technol., 127, 1366 (1980)
  7. Hong H. Lee, L. Figueroa. J. Electrochem. Soc., 135 (2), 496 (1988)
  8. P.J. Grunthaner, R.P. Vasquez, F.J. Crunthaner. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 1945 (1980)
  9. G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry. Phys. Rev., B, 49 (16), 11 159 (1994)
  10. A.G. Baca, Carol Iris Hill Ashby. Fabrication of GaAs Devices (The Institutes of Elecrtical Engineers, UK, 2005)
  11. D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker. Thin Sol. Films, 412, 76 (2002)
  12. G. Marrakchi, M. Gavard, G. Guillot, E. Rosencher, A. Nauailhat. Appl. Phys. Lett., 54 (6), 540 (1988)
  13. Ю.В. Капитонов. Тез. докл. молодежной науч. конф. "Физика и прогресс" к 100-летию со дня рождения В.А. Фока (СПб., Россия, 2008) с. 169. http://www.phys.spbu.ru/ content/File/PhysicsAndProgress/Bokk\_2008.pdf
  14. П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 38 (4), 401 (2004)
  15. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
  16. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  17. Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, С.В. Кузубов, И.Н. Арсеньев, И.С. Тарасов, А.А. Старобубцев, А.Б. Сысоев. Письма ЖТФ, 34 (10), 47 (2008)
  18. Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, А.В. Каданцев, Л.В. Васильева, Ю.Н. Власов. ПТЭ, 3, 1 (2010)
  19. A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, Y.N. Bolsheva, A.V. Govorkov, B.N. Sharonov. Sol. St. Electron., 46, 269 (2002)
  20. T.J. Drummond. Phys. Rev. B, 59 (12), 8182 (1999)
  21. C.V. Reddy, S. Fing, C.D. Beling. Phys. Rev. B, 54 (16), 11 290 (1996)
  22. A. Cavallini, L. Polenta. J. Appl. Phys., 98, 023 708 (2005)
  23. P.N.K. Deenapanray, H.H. Tan, C. Jagadish, F.D. Auret. J. Appl. Phys., 88 (9), 5017 (2000)
  24. В.Н. Брудный, В.В. Пешев. ФТП, 37 (2), 151 (2004)
  25. Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Ю.Н. Сыноров, Г.И. Котов, Е.А. Татохин, А.А. Стародубцев, С.В. Кузубов. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 12, 62 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.