Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 18 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Обнаружен эффект фотостимулированного повышения растворимости отожженных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в селективных травителях на основе аминов. Установлено, что скорость травления повышается при увеличении интенсивности облучения, а ее спектральная зависимость коррелирует с поглощением в пленке в области края межзонных переходов. Показано, что новый фотостимулированный эффект позволяет реализовать фотолитографический процесс (в том числе процесс интерференционной фотолитографии) на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников, отожженных при температуре, близкой к температуре размягчения халькогенидного стекла, путем одновременного экспонирования и селективного травления таких слоев. Обсуждается возможный механизм фототравления халькогенидных стеклообразных полупроводников.
- Y. Mizushima, A. Yoshikava. In: Amorphous Semiconductor Technology and Devices, ed. by Y. Hamakava (Tokyo, OHM and Amsterdam, 1982) p. 277
- G.H. Bernstein, W.P. Liu, Y.N. Khawaja, M.N. Kozicki, D.K. Ferry. J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (6) 2298 (1988)
- K. Saito, Y. Utsugi, A. Yoshikawa. J. Appl. Phys., 63 (2), 565 (1988)
- Sean H. Wong, M. Thiel, P. Brodersen, D. Fenske, G.A. Ozin, M. Wegener, G. von Freymann. Chem. Mater., 19 (17), 4213 (2007)
- M. Wuttig, N. Yamada. Nature Mater., 6, 824 (2007)
- И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Науч. мысль, 1992)
- Photo-Induced Metastability in Amorphous Semiconductors, ed. by A.V. Kolobov (Wiley, N.Y., 2003)
- K. Richardson, L. Petit, N. Carlie, B. Zdyrko, I. Luzinov, J. Hu, A. Agarwal, L. Kimerling, T. Anderson, M. Richardson. J. Nonlinear Opt. Phys. Mater., 19 (1), 75 (2010)
- M.-L. Anne, J. Keirsse, V. Nazabal, K. Hyodo, S. Inoue, C. Boussard-Pledel, H. Lhermite, J.1 Carrier, K. Yanakata, O. Loreal, J. Le Person, F. Colas, C. Compere, B. Bureau. Sesors, 9, 7398 (2009)
- A.V. Kolobov, K. Tanaka. ФТП, 32 (8), 899 (1998)
- A. Ganjoo, H. Jain, S. Khalid. J. Non-Cryst. Sol., 354, 2673 (2008)
- I.Z. Indutnyi, A.V. Stronski, P.E. Schepeljavi, S.A. Kostioukevitch, P.F. Romanenko, I.I. Robur. Opt. Eng., 34 (4), 1030 (1995)
- В.А. Данько, И.З. Индутный, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый. Автометрия, 46 (5), 103 (2010)
- Пленочная микроэлектроника, под ред. Л. Холленда (М., Мир, 1968)
- А.I. Стецун. Автореф. канд. дис. (Киев, Ин-т физики полупроводников НАН Украины, 1994)
- С.А. Зенкин, С.Б. Мамедов, Г.Д. Михайлов, Е.Ю. Туркина, И.Ю. Юсупов. Физика и химия стекла, 23 (1), 560 (1997)
- G.C. Chern, I. Lauks. J. Appl. Phys., 54, 4596 (1983)
- J. Orava, T. Wagner, M. Krbal, T. Kohoutek, Mil. Vlcek, P. Klapetek, M. Frumar. J. Non-Cryst. Sol., 354, 533 (2008)
- M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy, O.M. Dyachyns'ka. Appl. Phys. Lett., 96, 11 908 (2010)
- K. Tanaka, N. Kawakami, A. Odajima. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 1, 20, 1874 (1981)
- A.V. Kolobov, K. Tanaka. In: Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, ed. by H.S. Nalwa (Academic, San Diego, 2001) v. 5, chap. 2
- H. Fritzsche. Sol. St. Commun., 99 (3), 153 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
