"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников
Данько В.А.1, Индутный И.З.1, Минько В.И.1, Шепелявый П.Е.1, Березнева О.В.1, Литвин О.С.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Обнаружен эффект фотостимулированного повышения растворимости отожженных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в селективных травителях на основе аминов. Установлено, что скорость травления повышается при увеличении интенсивности облучения, а ее спектральная зависимость коррелирует с поглощением в пленке в области края межзонных переходов. Показано, что новый фотостимулированный эффект позволяет реализовать фотолитографический процесс (в том числе процесс интерференционной фотолитографии) на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников, отожженных при температуре, близкой к температуре размягчения халькогенидного стекла, путем одновременного экспонирования и селективного травления таких слоев. Обсуждается возможный механизм фототравления халькогенидных стеклообразных полупроводников.
  1. Y. Mizushima, A. Yoshikava. In: Amorphous Semiconductor Technology and Devices, ed. by Y. Hamakava (Tokyo, OHM and Amsterdam, 1982) p. 277
  2. G.H. Bernstein, W.P. Liu, Y.N. Khawaja, M.N. Kozicki, D.K. Ferry. J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (6) 2298 (1988)
  3. K. Saito, Y. Utsugi, A. Yoshikawa. J. Appl. Phys., 63 (2), 565 (1988)
  4. Sean H. Wong, M. Thiel, P. Brodersen, D. Fenske, G.A. Ozin, M. Wegener, G. von Freymann. Chem. Mater., 19 (17), 4213 (2007)
  5. M. Wuttig, N. Yamada. Nature Mater., 6, 824 (2007)
  6. И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Науч. мысль, 1992)
  7. Photo-Induced Metastability in Amorphous Semiconductors, ed. by A.V. Kolobov (Wiley, N.Y., 2003)
  8. K. Richardson, L. Petit, N. Carlie, B. Zdyrko, I. Luzinov, J. Hu, A. Agarwal, L. Kimerling, T. Anderson, M. Richardson. J. Nonlinear Opt. Phys. Mater., 19 (1), 75 (2010)
  9. M.-L. Anne, J. Keirsse, V. Nazabal, K. Hyodo, S. Inoue, C. Boussard-Pledel, H. Lhermite, J.1 Carrier, K. Yanakata, O. Loreal, J. Le Person, F. Colas, C. Compere, B. Bureau. Sesors, 9, 7398 (2009)
  10. A.V. Kolobov, K. Tanaka. ФТП, 32 (8), 899 (1998)
  11. A. Ganjoo, H. Jain, S. Khalid. J. Non-Cryst. Sol., 354, 2673 (2008)
  12. I.Z. Indutnyi, A.V. Stronski, P.E. Schepeljavi, S.A. Kostioukevitch, P.F. Romanenko, I.I. Robur. Opt. Eng., 34 (4), 1030 (1995)
  13. В.А. Данько, И.З. Индутный, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый. Автометрия, 46 (5), 103 (2010)
  14. Пленочная микроэлектроника, под ред. Л. Холленда (М., Мир, 1968)
  15. А.I. Стецун. Автореф. канд. дис. (Киев, Ин-т физики полупроводников НАН Украины, 1994)
  16. С.А. Зенкин, С.Б. Мамедов, Г.Д. Михайлов, Е.Ю. Туркина, И.Ю. Юсупов. Физика и химия стекла, 23 (1), 560 (1997)
  17. G.C. Chern, I. Lauks. J. Appl. Phys., 54, 4596 (1983)
  18. J. Orava, T. Wagner, M. Krbal, T. Kohoutek, Mil. Vlcek, P. Klapetek, M. Frumar. J. Non-Cryst. Sol., 354, 533 (2008)
  19. M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy, O.M. Dyachyns'ka. Appl. Phys. Lett., 96, 11 908 (2010)
  20. K. Tanaka, N. Kawakami, A. Odajima. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 1, 20, 1874 (1981)
  21. A.V. Kolobov, K. Tanaka. In: Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, ed. by H.S. Nalwa (Academic, San Diego, 2001) v. 5, chap. 2
  22. H. Fritzsche. Sol. St. Commun., 99 (3), 153 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.