Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок
Калыгина В.М.1, Зарубин А.Н.1, Найден Е.П.1, Новиков В.А.1, Петрова Ю.С.1, Толбанов О.П.1, Тяжев А.В.1, Яскевич Т.М.1
1Cибирский физико-технический институт Томского национального исследовательского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
Исследовано влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и диэлектрические характеристики пленок окисла галлия. Пленки Ga2O3 толщиной 200-300 нм получали анодированием пластин арсенида галлия n-типа проводимости с концентрацией доноров Nd=(1-2)· 1016 см-3. После отжига при 900oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только beta-фазу Ga2O3. Изучено влияние времени воздействия кислородной плазмы до отжига на зарождение кристаллитов beta-фазы с различной ориентацией. Установлено, что электропроводность пленок Ga2O3 может управляться термическим отжигом и изменением времени обработки в кислородной плазме. Показано, что отклик структуры V/Ni-GaAs-Ga2O3-V/Ni на выдыхаемую человеком смесь зависит от величины и знака потенциала на управляющем электроде.
- В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
- J.H. Kim, K.H. Yoon. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
- Y. Nakano, T. Jumbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
- C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita. J. Optoelectron. and Advanced Mater., 7 (2), 891 (2005)
- T. Schwebel, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chemical, 65, 176 (2000)
- Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chemical, 129, 666 (2008)
- J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 143, 192 (2009)
- J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 147, 723 (2010)
- M. Bartic, C.-I. Baban, H. Suzuki, M. Ogita, M. Isai. J. Amer. Ceramic Soc. 90, 2879 (2007)
- Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh. Sensors Actuators B: Chemical, 93, 431 (2003)
- M. Fleischer. Measurement Sci. Technol., 19, 042 001 (2008)
- Z. Li, B. Zhao, P. Liu, Y. Zang. Mictroelectron. Eng., 85, 1618 (2008); Microelectron Eng. 87, 690 (2010)
- C.T. Lee, H.W. Chen, F.T. Hwang, H.Y. Lee. J. Electron Mater., 34, 282 (2005)
- В.И. Гаман, В.И. Косинцев, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 6, 18 (1987)
- H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey. Phys. Rev. B, 74, 195 123 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук