"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок
Калыгина В.М.1, Зарубин А.Н.1, Найден Е.П.1, Новиков В.А.1, Петрова Ю.С.1, Толбанов О.П.1, Тяжев А.В.1, Яскевич Т.М.1
1Cибирский физико-технический институт Томского национального исследовательского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Исследовано влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и диэлектрические характеристики пленок окисла галлия. Пленки Ga2O3 толщиной 200-300 нм получали анодированием пластин арсенида галлия n-типа проводимости с концентрацией доноров Nd=(1-2)· 1016 см-3. После отжига при 900oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только beta-фазу Ga2O3. Изучено влияние времени воздействия кислородной плазмы до отжига на зарождение кристаллитов beta-фазы с различной ориентацией. Установлено, что электропроводность пленок Ga2O3 может управляться термическим отжигом и изменением времени обработки в кислородной плазме. Показано, что отклик структуры V/Ni-GaAs-Ga2O3-V/Ni на выдыхаемую человеком смесь зависит от величины и знака потенциала на управляющем электроде.
  1. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
  2. J.H. Kim, K.H. Yoon. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
  3. Y. Nakano, T. Jumbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
  4. C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita. J. Optoelectron. and Advanced Mater., 7 (2), 891 (2005)
  5. T. Schwebel, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chemical, 65, 176 (2000)
  6. Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chemical, 129, 666 (2008)
  7. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 143, 192 (2009)
  8. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 147, 723 (2010)
  9. M. Bartic, C.-I. Baban, H. Suzuki, M. Ogita, M. Isai. J. Amer. Ceramic Soc. 90, 2879 (2007)
  10. Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh. Sensors Actuators B: Chemical, 93, 431 (2003)
  11. M. Fleischer. Measurement Sci. Technol., 19, 042 001 (2008)
  12. Z. Li, B. Zhao, P. Liu, Y. Zang. Mictroelectron. Eng., 85, 1618 (2008); Microelectron Eng. 87, 690 (2010)
  13. C.T. Lee, H.W. Chen, F.T. Hwang, H.Y. Lee. J. Electron Mater., 34, 282 (2005)
  14. В.И. Гаман, В.И. Косинцев, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 6, 18 (1987)
  15. H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey. Phys. Rev. B, 74, 195 123 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.