Вышедшие номера
Виктор Ильич Фистуль (1927-2011)
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

11.713.5pt Шестого июня 2011 года на 85-ом году ушел из жизни доктор физико-математических наук, профессор Виктор Ильич Фистуль. В. И. Фистуль был одним из крупных российских ученых в области физики полупроводниковых материалов, научные заслуги которого признаны как в нашей стране, так и за рубежом. Он был удостоен почетного звания "заслуженный деятель науки и техники России", был лауреатом двух Государственных премий CCCP, награжден орденом "Знак Почета" и медалями. После окончания Ленинградского политехнического института в 1949 г. В. И. Фистуль работал на заводе "Уралэлектроаппарат" в г. Свердловске мастером ОТК, инженером и старшим инженером заводской лаборатории. С 1952 г. по 1977 г. Виктор Ильич работал в институте "Гиредмет" и одновременно по совместительству с 1962 г. преподавал в МИТХТ им. М. В. Ломоносова. В 1977 г. он возглавил в МИТХТ им. М. В. Ломоносова кафедру "Технология полупроводниковых материалов" и перешел туда на постоянную работу. В 1985 г. по его инициативе в МИТХТ им. М. В. Ломоносова была организована кафедра физики и химии твердого тела, которую он возглавлял вплоть до 1991 г. [!t] В. И. Фистуль был признанным в мире авторитетом в области физического материаловедения полупроводников. Его научные результаты отражены более чем в 200 статьях и 18 монографиях. Монографии "Сильнолегированные полупроводники" и "Примеси переходных металлов в полупроводниках" (в соавторстве с Э. М. Омельяновским) переведены на английский язык и изданы в США и Англии. В. И. Фистуль был замечательным лектором, умевшим в яркой и доступной форме излагать студентам сложные вопросы физики полупроводников и полупроводникового материаловедения. Он автор нескольких учебников - "Введение в физику полупроводников" (1975 г., 1984 г.), "Новые материалы" (1995 г.) "Физика и химия твердого тела" в 2-х томах (1995 г.), которые до настоящего времени используются в учебном процессе. В. И. Фистулем было подготовлено 6 докторов и 45 кандидатов наук. Со дня основания журнала "Физика и техника полупроводников" на протяжении многих лет он был членом редколлегии журнала. Виктор Ильич был обаятельным, доброжелательным и всесторонне образованным человеком, замечательным собеседником. Светлую память о Викторе Ильиче Фистуле навсегда сохранят все, кому посчастливилось с ним работать и общаться. Сотрудники кафедры физики и химии твердого тела, кафедры материалов микро-, опто- и наноэлектроники МИТХТ им. М. В. Ломоносова, Редколлегия журнала Физика и техника полупроводников", коллеги и друзья выражают свои соболезнования
  1. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
  2. J.H. Kim, K.H. Yoon. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
  3. Y. Nakano, T. Jumbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
  4. C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita. J. Optoelectron. and Advanced Mater., 7 (2), 891 (2005)
  5. T. Schwebel, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chemical, 65, 176 (2000)
  6. Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chemical, 129, 666 (2008)
  7. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 143, 192 (2009)
  8. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 147, 723 (2010)
  9. M. Bartic, C.-I. Baban, H. Suzuki, M. Ogita, M. Isai. J. Amer. Ceramic Soc. 90, 2879 (2007)
  10. Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh. Sensors Actuators B: Chemical, 93, 431 (2003)
  11. M. Fleischer. Measurement Sci. Technol., 19, 042 001 (2008)
  12. Z. Li, B. Zhao, P. Liu, Y. Zang. Mictroelectron. Eng., 85, 1618 (2008); Microelectron Eng. 87, 690 (2010)
  13. C.T. Lee, H.W. Chen, F.T. Hwang, H.Y. Lee. J. Electron Mater., 34, 282 (2005)
  14. В.И. Гаман, В.И. Косинцев, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 6, 18 (1987)
  15. H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey. Phys. Rev. B, 74, 195 123 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.