"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Игорь Георгиевич Неизвестный (к 80-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

[!t] 26 ноября 2011 года исполнилось 80 лет Игорю Георгиевичу Неизвестному. И. Г. Неизвестный закончил в 1956 г. Московский энергетический институт по специальности "диэлектрики и полупроводники". Это был первый выпуск специалистов такого профиля в нашей стране. Научная деятельность молодого специалиста началась в Физическом институте им. П. Н. Лебедева Академии наук в лаборатории академика Б. М. Вула, под руководством тогда ещё кандидата ф.-м.н. А. В. Ржанова, творческий союз и дружба с которым продолжалась затем много лет. Перед молодым исследователем была поставлена задача --- исследовать поверхностные состояния, ответственные за рекомбинацию и захват на поверхности германия, основного в то время материала полупроводниковой электроники. Уже в том же 1956 г. по результатам дипломной работы вышла в свет первая научная работа. Исследования продолжились далее, расширившись в изучение природы и механизмов рекомбинации и захвата на границе раздела полупроводника с внешней средой. Результаты этой работы позволили сформировать физические основы приборов на основе структур металл-диэлектрик-германий и исследовать характеристики этих приборов. В 1962 г. А. В. Ржанов переезжает в Новосибирский Академгородок, где ему поручают организацию Института твёрдого тела и полупроводниковой электроники (после объединения с Институтом радиоэлектроники --- Институт физики полупроводников, ИФП). И. Г. Неизвестный был приглашен А. В. Ржановым, а затем и назначен распоряжением Президиума Сибирского отделения Академии наук заместителем директора этого института. После этого он принимает активное участие в создании и развитии ИФП СО РАН. Это --- строительство уникального термостатированного корпуса, оснащение оборудованием, приборами лабораторий и вспомогательных подразделений, подбор кадров, организация научных исследований, и везде Игорь Георгиевич проявляет незаурядные способности учёного и организатора. Эта деятельность была высоко оценена Правительством страны, наградившим И. Г. Неизвестного в 1971 г. Орденом Трудового Красного Знамени. В 1980 г. после защиты докторской диссертации научные интересы И. Г. Неизвестного связаны с разработкой высокочувствительных многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения. Сюда входили и технология получения тонкоплёночных гетероструктур, и исследование их взаимодействия с излучением, и поведение их при криогенных температурах. По результатам этой работы И. Г. Неизвестному с соавторами в 1995 г. была присуждена Государственная премия Российской Федерации по науке и технике "За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов". В новом веке сфера научной деятельности И. Г. Неизвестного, кроме перечисленных выше проблем, включает компьютерное моделирование процессов на поверхности полупроводника, разработку элементной базы квантового компьютера, квантовую (однофотонную) криптографию, микро- и наносенсорику. С 1973 по 1980 г.г. Игорь Георгиевич --- заведующий лабораторией Физики и технологии германиевых МДП структур, с 1980 по 2004 г.г. --- заместитель директора ИФП СО РАН. С 2004 г. он является советником РАН, заведующим отделом "Тонкоплёночные структуры для микро- и фотоэлектроники". В 1966 г. И. Г. Неизвестный защитил кандидатскую диссертацию, а в 1980 г. ему была присуждена степень доктора физико-математических наук и в том же году присвоено звание профессора. В 1990 г. он был избран членом-корреспондентом АН СССР по специальности "элементная база вычислительной техники". С 1988 по 2010 г.г. --- заведующий филиалом кафедры "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника" Новосибирского государственного технического университета в ИФП СО РАН. Много лет он читает курсы по физическим основам твердотельных устройств микро- и наноэлектроники. Он является автором и соавтором 170 научных работ, из них 7 книг, в том числе первые в России учебные пособия по основам наноэлектроники. Под руководством И. Г. Неизвестного защищено 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций. Много лет руководит работами, поддерживаемыми грантами РФФИ, выполнением проектов Президиума РАН, Отделений РАН и интегральных проектов СО РАН, И. Г. Неизвестный по-прежнему принимает активное участие в жизни Института физики полупроводников, Сибирского отделения РАН и научной общественности страны. Он является членом научного совета РАН по физике полупроводников, заместителем председателя объединенного совета по физическим наукам СО РАН, руководителем Программы СО РАН "Твёрдотельные устройства микро- и наноэлектроники", зам. главного редактора журнала "Микроэлектроника", членом редколлегий журналов "Поверхность", "Sensors electronics and microsystem technologies", "Украинский физический журнал", членом-основателем Азиатско-Тихоокеанской академии материаловедения, членом Американского физического общества и Японского физического общества. В 2010 г. И. Г. Неизвестный был избран Почётным профессором Одесского национального университета. От всей души поздравляем Игоря Георгиевича со славным юбилеем и искренне желаем ему крепкого здоровья, личного счастья и дальнейших научных успехов! Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, С. В. Богданов, А. В. Двуреченский, А. В. Латышев, О. П. Пчеляков, Э. В. Скубневский, P. А. Сурис, А. В. Чаплик, В. Г. Хорошевский
  1. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
  2. J.H. Kim, K.H. Yoon. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
  3. Y. Nakano, T. Jumbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
  4. C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita. J. Optoelectron. and Advanced Mater., 7 (2), 891 (2005)
  5. T. Schwebel, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chemical, 65, 176 (2000)
  6. Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chemical, 129, 666 (2008)
  7. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 143, 192 (2009)
  8. J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 147, 723 (2010)
  9. M. Bartic, C.-I. Baban, H. Suzuki, M. Ogita, M. Isai. J. Amer. Ceramic Soc. 90, 2879 (2007)
  10. Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh. Sensors Actuators B: Chemical, 93, 431 (2003)
  11. M. Fleischer. Measurement Sci. Technol., 19, 042 001 (2008)
  12. Z. Li, B. Zhao, P. Liu, Y. Zang. Mictroelectron. Eng., 85, 1618 (2008); Microelectron Eng. 87, 690 (2010)
  13. C.T. Lee, H.W. Chen, F.T. Hwang, H.Y. Lee. J. Electron Mater., 34, 282 (2005)
  14. В.И. Гаман, В.И. Косинцев, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 6, 18 (1987)
  15. H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey. Phys. Rev. B, 74, 195 123 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.