Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 8 » Статья стр. 1022
<<<>>>
Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al0.3Ga0.7N/Al0.4Ga0.6N c различной морфологией
Шевченко Е.А.1, Жмерик В.Н.1, Мизеров А.М.1, Ситникова А.А.1, Иванов С.В.1, Торопов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.
PDF версия
Оцениваются величины напряженности электрического поля в квантовых ямах Al0.3Ga0.7N/Al0.4Ga0.6N, выращенных с использованием как трехмерного, так и планарного режимов роста буферных слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Переход к трехмерному режиму роста приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и сдвигу линии фотолюминесценции в коротковолновую сторону, что объясняется ослаблением квантово-размерного эффекта Штарка вследствие дополнительной трехмерной локализации носителей в слое квантовой ямы. Эффект локализации предположительно связан со спонтанными модуляциями состава твердого раствора AlGaN, увеличенными вследствие трехмерного режима роста.
  1. M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N.M. Johnson, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 036 (2011)
  2. C. Wood, D. Jena. Polarization Effects in Semiconductors: From Ab Initio Theory to Device Applications (N.Y., Springer, 2007)
  3. T.M. Al Tahtamouni, N. Nepal, J.Y. Lin, H.X. Jiang, W.W. Chow. Appl. Phys. Lett., 89, 131 922 (2006)
  4. H. Murotani, T. Saito, N. Kato, Y. Yamada, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, T. Yokogawa. Appl. Phys. Lett., 91, 213 910 (2007)
  5. J.R. Grandusky, S.R. Gibb, M.C. Mendrick, L.J. Schowalter. Appl. Phys. Express, 3, 072 103 (2010)
  6. K. Okamoto, A. Kaneta, Y. Kawakami, S. Fujita, J. Choi, M. Terazima, T. Mukai. J. Appl. Phys., 98, 064 503 (2005)
  7. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП, 42, 1420 (2008)
  8. Min Gao, S.T. Bradley, Yu Cao, D. Jena, Y. Lin, S.A. Ringel, J. Hwang, W.J. Schaff, L.J. Brillson. J. Appl. Phys., 100, 103 512 (2006)
  9. J. Simon, R. Langer, A. Barski, N.T. Pelekanos. Phys. Rev. B, 61, 7211 (2000)
  10. V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli. Phys. Rev. B, 60, 8849 (1999)
  11. N. Nepal, J. Li, M.L. Nakarmi, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 87, 242 104 (2005)
  12. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  13. A.K. Ghatak, I.-C. Goyal, L. Gallawa. IEEE J. Quant. Electron., 26, 305 (1990)
  14. S.M. Cao, M. Willander, E.L. Ivchenko, A.I. Nesvizhskii, A.A. Toropov. Superlatt. Microstr., 17, 1 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme