Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al0.3Ga0.7N/Al0.4Ga0.6N c различной морфологией
Шевченко Е.А.1, Жмерик В.Н.1, Мизеров А.М.1, Ситникова А.А.1, Иванов С.В.1, Торопов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.
Оцениваются величины напряженности электрического поля в квантовых ямах Al0.3Ga0.7N/Al0.4Ga0.6N, выращенных с использованием как трехмерного, так и планарного режимов роста буферных слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Переход к трехмерному режиму роста приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и сдвигу линии фотолюминесценции в коротковолновую сторону, что объясняется ослаблением квантово-размерного эффекта Штарка вследствие дополнительной трехмерной локализации носителей в слое квантовой ямы. Эффект локализации предположительно связан со спонтанными модуляциями состава твердого раствора AlGaN, увеличенными вследствие трехмерного режима роста.
- M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N.M. Johnson, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 036 (2011)
- C. Wood, D. Jena. Polarization Effects in Semiconductors: From Ab Initio Theory to Device Applications (N.Y., Springer, 2007)
- T.M. Al Tahtamouni, N. Nepal, J.Y. Lin, H.X. Jiang, W.W. Chow. Appl. Phys. Lett., 89, 131 922 (2006)
- H. Murotani, T. Saito, N. Kato, Y. Yamada, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, T. Yokogawa. Appl. Phys. Lett., 91, 213 910 (2007)
- J.R. Grandusky, S.R. Gibb, M.C. Mendrick, L.J. Schowalter. Appl. Phys. Express, 3, 072 103 (2010)
- K. Okamoto, A. Kaneta, Y. Kawakami, S. Fujita, J. Choi, M. Terazima, T. Mukai. J. Appl. Phys., 98, 064 503 (2005)
- В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП, 42, 1420 (2008)
- Min Gao, S.T. Bradley, Yu Cao, D. Jena, Y. Lin, S.A. Ringel, J. Hwang, W.J. Schaff, L.J. Brillson. J. Appl. Phys., 100, 103 512 (2006)
- J. Simon, R. Langer, A. Barski, N.T. Pelekanos. Phys. Rev. B, 61, 7211 (2000)
- V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli. Phys. Rev. B, 60, 8849 (1999)
- N. Nepal, J. Li, M.L. Nakarmi, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 87, 242 104 (2005)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- A.K. Ghatak, I.-C. Goyal, L. Gallawa. IEEE J. Quant. Electron., 26, 305 (1990)
- S.M. Cao, M. Willander, E.L. Ivchenko, A.I. Nesvizhskii, A.A. Toropov. Superlatt. Microstr., 17, 1 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
