Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al

Павлык Б.В.¹, Слободзян Д.П.¹, Грыпа А.С.¹, Лыс Р.М.¹, Кушлык М.О.¹, Шикоряк И.А.¹, Дидык Р.И.¹

¹Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

Поступила в редакцию: 13 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования радиационно-стимулированных изменений электрофизических характеристик поверхностно-барьерных структур на базе кристаллов p-Si с различным удельным сопротивлением (24, 10 Ом·см). Проведен анализ состояния поверхности исследуемых образцов с использованием атомно-силовой микроскопии. Показано, что в зависимости от дефектной структуры кремниевой подложки воздействие радиации приводит к эволюции структурных дефектов, изменению зарядового состояния уже существующих дефектов в структурах на базе "солнечного" кремния (24 Ом·см). В приповерхностном слое кристаллов КДБ-24 образуются дефекты пирамидальной формы, которые под действием рентгеновских лучей частично изменяют свою структуру.

В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1981)
В.Г. Литовченко, И.П. Лисовський, В.П. Кладько, С.О. Злобин, М.В. Слободян. УФЖ, 52 (10), 959 (2007)
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбатчук, С.В. Шпаковский, С.Б. Ластовский, A. Wieck. ФТП, 44 (3), 397 (2010)
К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, В.Н. Мордкович, Д.М. Пажин. ФТП, 45 (6), 754 (2011)
Б.В. Павлык, А.С. Грыпа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лыс, Р.И. Дидык, И.А. Шикоряк. ФТП, 45 (5), 608 (2011)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко. ФТП, 18 (10), 1808 (1984)
М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. ФТП, 38 (11), 1294 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель