Вышедшие номера
Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al
Павлык Б.В.1, Слободзян Д.П.1, Грыпа А.С.1, Лыс Р.М.1, Кушлык М.О.1, Шикоряк И.А.1, Дидык Р.И.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 13 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Представлены результаты исследования радиационно-стимулированных изменений электрофизических характеристик поверхностно-барьерных структур на базе кристаллов p-Si с различным удельным сопротивлением (24, 10 Ом·см). Проведен анализ состояния поверхности исследуемых образцов с использованием атомно-силовой микроскопии. Показано, что в зависимости от дефектной структуры кремниевой подложки воздействие радиации приводит к эволюции структурных дефектов, изменению зарядового состояния уже существующих дефектов в структурах на базе "солнечного" кремния (24 Ом·см). В приповерхностном слое кристаллов КДБ-24 образуются дефекты пирамидальной формы, которые под действием рентгеновских лучей частично изменяют свою структуру.