Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al
Павлык Б.В.1, Слободзян Д.П.1, Грыпа А.С.1, Лыс Р.М.1, Кушлык М.О.1, Шикоряк И.А.1, Дидык Р.И.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 13 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.
Представлены результаты исследования радиационно-стимулированных изменений электрофизических характеристик поверхностно-барьерных структур на базе кристаллов p-Si с различным удельным сопротивлением (24, 10 Ом·см). Проведен анализ состояния поверхности исследуемых образцов с использованием атомно-силовой микроскопии. Показано, что в зависимости от дефектной структуры кремниевой подложки воздействие радиации приводит к эволюции структурных дефектов, изменению зарядового состояния уже существующих дефектов в структурах на базе "солнечного" кремния (24 Ом·см). В приповерхностном слое кристаллов КДБ-24 образуются дефекты пирамидальной формы, которые под действием рентгеновских лучей частично изменяют свою структуру.
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1981)
- В.Г. Литовченко, И.П. Лисовський, В.П. Кладько, С.О. Злобин, М.В. Слободян. УФЖ, 52 (10), 959 (2007)
- Н.А. Поклонский, Н.И. Горбатчук, С.В. Шпаковский, С.Б. Ластовский, A. Wieck. ФТП, 44 (3), 397 (2010)
- К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, В.Н. Мордкович, Д.М. Пажин. ФТП, 45 (6), 754 (2011)
- Б.В. Павлык, А.С. Грыпа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лыс, Р.И. Дидык, И.А. Шикоряк. ФТП, 45 (5), 608 (2011)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко. ФТП, 18 (10), 1808 (1984)
- М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. ФТП, 38 (11), 1294 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.