Исследовано формирование потенциального барьера при осаждении ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 16-фторозамещенного гексадекафлюро-фталоцианина меди (F₁₆CuPc) на поверхность поликристаллического диоксида олова, а также при осаждении F₁₆CuPc-покрытия поверх пленки CuPc. При освещении приготовленных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности. Фотопотенциал поверхности исследованных органических пленок имеет положительный знак относительно подложки, его спектральные зависимости соответствуют спектрам поглощения органических материалов CuPc и F₁₆CuPc. Измерения потенциала поверхности проводили с помощью тестирующего пучка медленных электронов на основе методики спектроскопии полного тока. В процессе осаждения пленки CuPc толщиной до 8 нм на подложку SnO₂ обнаружено суммарное уменьшение работы выхода на 0.2 эВ, а в случае F₁₆CuPc/SnO₂ интерфейса обнаружено увеличение работы выхода на 0.55 эВ. При этом на начальной стадии осаждения при толщине органических пленок на 1.5 нм пограничный потенциальный барьер соответствовал переносу электронной плотности от органической пленки в подложку как в случае CuPc/SnO₂, так и в случае F₁₆CuPc/SnO₂. Предположено, что фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности вызвано разделением носителей заряда в пограничной области толщиной до 1.5 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.