Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb

Лукин П.В.¹, Чалдышев В.В.¹, Преображенский В.В.², Путято М.А.², Семягин Б.Р.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптическое отражение и пропускание структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой или фосфором. Периодичность легирования соответствовала брэгговскому условию для света с длиной волны в вакууме ~1.4 мкм. Структуры были подвергнуты отжигу при различных температурах в диапазоне 400-760^oC, который приводил к формированию хаотической трехмерной системы металлических нановключений (квантовых точек) As в объеме эпитаксиального слоя GaAs, а также к формированию двумерных слоев металлических нановключений (квантовых точек) AsSb на delta-слоях Sb. delta-слои P не влияли существенно на формирование системы нановключений As. В спектрах оптического отражения и пропускания нами не обнаружено особенностей, которые можно было бы связать с неупорядоченной трехмерной системой нановключений As. Периодическая система двумерных слоев металлических нановключений AsSb проявила себя в виде резонансного пика в спектрах оптического отражения и поглощения. Величина резонансного отражения и поглощения увеличивалась с увеличением размера нановключений AsSb. Резонансная длина волны зависела от угла падения света в соответствии с законом Брэгга.

А.В. Кильдишев, В.М. Шалаев. УФН, 181 (1), 59 (2011)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 7. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
Г. ван де Хюлст. Рассеяние света малыми частицами (М., Изд-во. иностр. лит., 1961) [H.C. van de Hulst. Light Scattering by Small Particles (Dover, N. Y., 1981)]
М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
A. Claverie, F. Namavar, Z. Liliental-Weber. Appl. Phys. Lett., 62, 1271 (1993)
D. Crouse, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 81, 7981 (1997)
Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
S.U. Dankowski, D. Streb, M. Ruff, P. Kiesel, M. Kneissl, B. Knupfer, G.H. Dohler, U.D. Keil, C.B. Sorenson, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 68, 37 (1996)
D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 76, 3740 (1994)
V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002)
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.Е. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, М.В. Байдакова, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1117 (2009)
M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Physica B, 404, 4970 (2009)
А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 278 (2009)
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 58 (3), R1 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель