В пленки кремний-на-изоляторе толщиной 280 нм были имплантированы ионы водорода с энергией 24 кэВ дозой 5·10¹⁷ см^-2. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдались пики, соответствующие локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния с размерами 1.9-2.5 нм. Доля нанокристаллической фазы составляла ~10%. Обнаружена полоса фотолюминесценции с максимумом около 1.62 эВ, интенсивность которой имела немонотонную зависимость от температуры измерений в диапазоне 88-300 K. Рост излучательной рекомбинации при температуре менее 150 K объясняется в рамках двухуровневой модели энергии сильно локализованных электронов и дырок. Величина энергии активации роста фотолюминесценции составляет 12.4 мэВ и соответствует энергии расщепления возбужденного состояния носителей зарядов, локализованных в нанокристалле кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.