Вышедшие номера
Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Рожавская М.М.1,2, Усов С.О.1,2, Брунков П.Н.1, Синицын М.А.1,2, Дадыдов Д.В.1,2, Мизеров М.Н.2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологичеcкий центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 5 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Представлены результаты исследований свойств композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN. Показано, что в слое InAlN наблюдается значительная фазовая сепарация, которая приводит к формированию трехмерных островков, состоящих из областей AlN-InAlN-AlN. Размеры этих островков зависят как от толщины слоя InAlN, так и от условий эпитаксиального роста. Использование прерываний во время роста InAlN позволяет влиять на структурные свойства островков InAlN. Использование композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN со слоем InGaN высокого состава в качестве активной области светодиодных структур позволяет получить излучение в желто-красном диапазоне длин волн 560-620 нм.