Вышедшие номера
Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
Тихов С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Квантовые точки InAs, встроенные в область пространственного заряда эпитаксиальной пленки n-GaAs на разные расстояния от поверхности (5-300 нм), уменьшают потенциальный барьер для электронов, локализованных в n-GaAs. Для туннельно-тонких покровных слоев это связано с туннелированием через энергетические уровни квантовых точек, а для толстых слоев - с отрицательным заряжением уровней квантования и дефектов, локализующихся вблизи квантовых точек. Уменьшение барьера увеличивает захват электронов на поверхностные состояния и смещает частотную дисперсию подвижности в эффекте поля, связанную с этим захватом, в сторону более высоких частот. При встраивании квантовых точек вблизи подножия барьера они проявляются в релаксации слабосигнального эффекта поля. Определены некоторые параметры уровней квантования. Обнаружено дефектообразование в слоях, прилегающих к квантовым точкам.