"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Михаил Яковлевич Дашевский (к 80-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

[!t] 23 октября 2011 года исполнилось 80 лет Михаилу Яковлевичу Дашевскому --- профессору кафедры материаловедения полупроводников Московского государственного института стали и сплавов (технологического университета), академику Азиатско-Тихоокеанской академии материалов, крупному ученому в области физического материаловедения и металлургии полупроводников, широко известному у нас в стране и за рубежом. Потомственный металлург, М. Я. Дашевский в 1954 г. с отличием окончил Московский институт стали по специальности "электрометаллургия стали и ферросплавов" и был направлен на работу в Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР (ИМЕТ). В ИМЕТ он работал в течение 11 лет в созданной одной из первых в стране академических лабораторий полупроводниковых материалов. Новая по тому времени тематика лаборатории имела важнейшее значение для народного хозяйства и обороны страны. В 1964 г. М. Я. Дашевский защитил кандидатскую диссертацию. В начале 70-х годов он проходил стажировку в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР в лаборатории Д. Н. Наследова в группе В. В. Голованова. Уже тогда при исследовании электрофизических и структурных свойств InSb проявились такие качества М. Я. Дашевского, как широкая эрудиция, любознательность, доброжелательность, обаяние, преданность любимой работе, готовность оказать помощь. С 1963 г. работу в ИМЕТ он совмещает с преподаванием в Московском институте стали и сплавов (МИСиС) на кафедре материаловедения полупроводников, а в 1965 г. полностью переходит на работу в МИСиС, где работает сначала доцентом, а затем профессором этой кафедры. В МИСиС развернулись его способности ученого, педагога, автора фундаментальных учебников и учебных пособий, методиста, организатора и воспитателя. Многогранность его деятельности уникальна. Вклад М. Я. Дашевского в материаловедение и металлургию полупроводников получил широкую известность в кругах ученых и работников промышленности. Это --- исследования в области выращивания, изучения физических свойств и структурных особенностей легированных электроактивными и изовалентными добавками совершенных монокристаллов алмазоподобных полупроводников (Si, Ge, InSb, GaSb), с однородным или заданным распределением легирующих добавок; исследования в области выращивания совершенных (в том числе бездислокационных) монокристаллов Si и InSb; исследования процессов роста, структурных особенностей и свойств профилированных кристаллов (дендритных и междендритных лент) алмазоподобных полупроводников (Si, InSb, GaAs и ZnGeAs2). Важные закономерности установлены при изучении поверхностных явлений в расплавах полупроводников и связи поверхностных явлений с процессами кристаллизации. Интересны результаты опытов по выращиванию легированных поверхностно активными и инактивными добавками монокристаллов Si и InSb в условиях космического пространства. Важные результаты получены при исследовании фазовых равновесий в многокомпонентных полупроводниковых системах, в том числе по строению областей твердых растворов (областей гомогенности) на основе соединений. В последние годы получены интересные данные при изучении процессов распада пересыщенных твердых растворов на основе кремния, в частности пересыщенных твердых растворов Si(Ge, O). Результаты ряда прикладных исследований внедрены в промышленное производство. Михаил Яковлевич возглавляет научную школу по фазовым и структурным превращениям, широко привлекает к этим работам научную молодежь. Под его руководством выполнено 17 кандидатских диссертаций и более 200 дипломных работ. Результаты исследований М. Я. Дашевского освещены более чем в 200 публикациях в отечественной и зарубежной литературе. М. Я. Дашевский создал ряд спецкурсов в области фазовых и структурных превращений, теории легирования полупроводников. В соавторстве с проф. С. С. Гореликом им написано учебное пособие "Материаловедение полупроводников и металловедение" (М., 1973 г.) и учебник "Материаловедение полупроводников и диэлектриков" (М., 1988 г.). Учебник не имеет аналогов в отечественной и зарубежной литературе, широко используется в вузах России и стран СНГ. Михаил Яковлевич ведет большую научно-организационную работу, являясь заместителем председателя Научного совета РАН " Физико-химические основы полупроводникового материаловедения, председателем комиссии по материаловедению и технологии кремния Федерального фонда развития электронной техники, членом редколлегии журнала "Известия вузов. Материалы электронной техники". Он --- один из организаторов регулярных международных конференций и школ молодых ученых и специалистов по материаловедению и физико-химическим основам технологии кремния. Мы от всей души поздравляем Михаила Яковлевича со знаменательным юбилеем, желаем ему крепкого здоровья, счастья и дальнейших успехов в научной работе. Друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук Редколлегия журнала присоединяется к сердечным поздравлениям друзей и учеников Михаила Яковлевича и со своей стороны желает ему творческого долголетия
  1. K.G. McKay, A. McAfee. Phys. Rev. 91, 1079 (1953)
  2. C. Zener. Proc. Roy. Soc. (London), 145, 523 (1934)
  3. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 33, 994 (1957); ЖТФ, 34, 962 (1958)
  4. W. Shockley. Bull. Am. Phys. Soc., 5, 161 (1960)
  5. W. Shockley. Solid-State Electron., 2, 35 (1961)
  6. В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов. ФТП, 44, 44 (2010)
  7. В.Б. Бондаренко, В.В. Кораблев, Ю.И. Равич. ФТП, 38, 331 (2004)
  8. D. Arnold, K. Hess. J. Appl. Phys., 61, 5178 (1987)
  9. P. Anfer and Mayergoyz. J. Appl. Phys., 93, 46646 (2003)
  10. J.A. Nixon, J.H. Davies. Phys. Rev. B, 41, 7929 (1990)
  11. D. Arnold, K. Kim, K. Hess. J. Appl. Phys., 61, 1456 (1987)
  12. В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 1533 (2010)
  13. В.А. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  14. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)ю
  15. Р. Ньютон. Теория рассеяния волн и частиц (М., Мир, 1969)
  16. В.В. Никольский, Т.И. Никольская. Электродинамика и распространение радиоволн (М., Наука, 1989)
  17. T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 15, 329 (1976)
  18. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  19. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.