[!t] 9 декабря 2011 года исполнилось 80 лет со дня рождения одного из выдающихся технологов Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН Талалакина Георгия Николаевича, оставившего нам многое из того, что и ныне определяет нашу страну как государство с развитой полупроводниковой техникой. Талалакин Г. Н. родился 9 декабря 1931 года в г. Баку в семье, перебравшейся в Азербайджан из рязанской глубинки. Юношеские годы "рязанского мужика с тюркским акцентом" пришлись на лихолетье войны, во время которой он, как и все дети того времени, после занятий в школе работал, помогая сводить концы с концами многодетной семье. После окончания школы он приехал в Ленинград, где поступил в Политехнический институт (ЛПИ), который закончил в 1955 г.. 1 августа 1955 г. он был зачислен в штат ФТИ после преодоления бюрократических преград, связанных с отсутствием у него в тот период закрепленной за ним постоянной жилплощади в Ленинграде. Полученные Н. А. Горюновой на "кончике пера" новые соединения III и V групп таблицы Менделеева увлекли недавнего выпускника ЛПИ, и Георгий Николаевич активно включился в работу лаборатории, возглавляемой профессором Д. Н. Наследовым, поставившим задачи разработки технологии получения сразу трех теперь уже "классических" полупроводников - InSb, GaAs, InAs - методами Чохральского и зонной плавки. В организованной в 1957 г. лаборатории электронных полупроводников Г. Н. Талалакин прошел путь от младшего научного сотрудника до руководителя многих проектов и "особо важных заданий". Результаты научных исследований, выполнявшихся, например, в рамках договоров между ФТИ и заводами на Украине (г. Кремгэс или г. Светловодск) и в г. Томске, успешно внедрялись в отечественное полупроводниковое производствоТипичное название одной из хоздоговорных работ, выполненных под руководством Г. Н. Талалакина: "Разработка методов промышленной технологии легирования арсенида галлия элементами II и VI групп таблицы Менделеева".. Георгий Николаевич был востребован и за рубежом, где он оказывал помощь в налаживании технологии специалистам из братских соцстран - ЧССР и ПНР. При его непосредственном участии были впервые получены и исследованы полумагнитные полупроводники на основе соединений А^IIIВ^V, легированные железом. Совместно с В. Ф. Мастеровым им была исследована электронная структура примесных центров, создаваемых элементами переходной группы железа в полупроводниках. С передачей в промышленность технологии получения "объемного" арсенида галлия у Г. Н. Талалакина начался новый "гетероэпитаксиальный" период его трудовой деятельности. В 1978 г. между Министерством приборостроения, средств автоматизации и систем управления (ВНИИАП) и ФТИ им. А. Ф. Иоффе был подписан долгосрочный договор по теме "Исследования возможности создания газоанализатора на основе твердотельного источника излучения". Переход на новую технологию не был простым, но уже через 5 лет впервые были получены светодиоды с длиной волны более 4 мкм, работающие при комнатной температуре, а вскоре после этого создание высокочувствительного метанометра на основе инфракрасных светодиодов средневолнового диапазона было вписано в годовой отчет ФТИ как одно из его основных достижений. Отдельно хочется упомянуть огромную работу, которую Г. Н. Талалакин проводил с дипломниками из Политехнического института. Кажется, не было ни одного года, свободного от забот по корректировке дипломных проектов и подготовке защит студентов, щедро "поставляемых" ему его родным институтом. Студенты были очень разные, но ко всем он находил подход, и под его руководством выросло немало хороших специалистов в области технологии полупроводников А^IIIВ^V. Г. Н. Талалакин не был "ученым в башне из слоновой кости": в 1978 году его избрали профоргом лаборатории, списочный состав которой составлял к тому времени более 50 сотрудников, и ему приходилось в течение последующих восьми лет совмещать изучение эпитаксиальной технологии, психологии и юриспруденции. Помимо этого, он был и душой коллектива - перед праздниками был занят сочинением стихотворений, од и поэм, имевших неизменный успех у сотрудников лаборатории и поныне использующихся в физтеховском фольклореНекоторые из стихов Таталакина Г. Н. можно найти и в Интернете (http://www.ioffeled.com/Papers/11-about%20GNTalalakin.pdf ), хорошо пел и играл на домре. Время стирает воспоминания, но созданная Георгием Николаевичем благоприятная атмосфера в коллективе лаборатории живет до сих пор; живут и придуманные им технологические приемы, благодаря которым идея создания газоанализаторов на основе инфракрасных светодиодов нашла своё промышленной воплощение. Имя Георгия Николаевича сохранится в памяти его друзей, сотрудников и учеников потому, что плохое быстро забывается, а хорошее - никогда. Друзья, коллеги и ученики Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.