"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Талалакин Георгий Николаевич (1931-2003)
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

[!t] 9 декабря 2011 года исполнилось 80 лет со дня рождения одного из выдающихся технологов Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН Талалакина Георгия Николаевича, оставившего нам многое из того, что и ныне определяет нашу страну как государство с развитой полупроводниковой техникой. Талалакин Г. Н. родился 9 декабря 1931 года в г. Баку в семье, перебравшейся в Азербайджан из рязанской глубинки. Юношеские годы "рязанского мужика с тюркским акцентом" пришлись на лихолетье войны, во время которой он, как и все дети того времени, после занятий в школе работал, помогая сводить концы с концами многодетной семье. После окончания школы он приехал в Ленинград, где поступил в Политехнический институт (ЛПИ), который закончил в 1955 г.. 1 августа 1955 г. он был зачислен в штат ФТИ после преодоления бюрократических преград, связанных с отсутствием у него в тот период закрепленной за ним постоянной жилплощади в Ленинграде. Полученные Н. А. Горюновой на "кончике пера" новые соединения III и V групп таблицы Менделеева увлекли недавнего выпускника ЛПИ, и Георгий Николаевич активно включился в работу лаборатории, возглавляемой профессором Д. Н. Наследовым, поставившим задачи разработки технологии получения сразу трех теперь уже "классических" полупроводников - InSb, GaAs, InAs - методами Чохральского и зонной плавки. В организованной в 1957 г. лаборатории электронных полупроводников Г. Н. Талалакин прошел путь от младшего научного сотрудника до руководителя многих проектов и "особо важных заданий". Результаты научных исследований, выполнявшихся, например, в рамках договоров между ФТИ и заводами на Украине (г. Кремгэс или г. Светловодск) и в г. Томске, успешно внедрялись в отечественное полупроводниковое производствоТипичное название одной из хоздоговорных работ, выполненных под руководством Г. Н. Талалакина: "Разработка методов промышленной технологии легирования арсенида галлия элементами II и VI групп таблицы Менделеева".. Георгий Николаевич был востребован и за рубежом, где он оказывал помощь в налаживании технологии специалистам из братских соцстран - ЧССР и ПНР. При его непосредственном участии были впервые получены и исследованы полумагнитные полупроводники на основе соединений АIIIВV, легированные железом. Совместно с В. Ф. Мастеровым им была исследована электронная структура примесных центров, создаваемых элементами переходной группы железа в полупроводниках. С передачей в промышленность технологии получения "объемного" арсенида галлия у Г. Н. Талалакина начался новый "гетероэпитаксиальный" период его трудовой деятельности. В 1978 г. между Министерством приборостроения, средств автоматизации и систем управления (ВНИИАП) и ФТИ им. А. Ф. Иоффе был подписан долгосрочный договор по теме "Исследования возможности создания газоанализатора на основе твердотельного источника излучения". Переход на новую технологию не был простым, но уже через 5 лет впервые были получены светодиоды с длиной волны более 4 мкм, работающие при комнатной температуре, а вскоре после этого создание высокочувствительного метанометра на основе инфракрасных светодиодов средневолнового диапазона было вписано в годовой отчет ФТИ как одно из его основных достижений. Отдельно хочется упомянуть огромную работу, которую Г. Н. Талалакин проводил с дипломниками из Политехнического института. Кажется, не было ни одного года, свободного от забот по корректировке дипломных проектов и подготовке защит студентов, щедро "поставляемых" ему его родным институтом. Студенты были очень разные, но ко всем он находил подход, и под его руководством выросло немало хороших специалистов в области технологии полупроводников АIIIВV. Г. Н. Талалакин не был "ученым в башне из слоновой кости": в 1978 году его избрали профоргом лаборатории, списочный состав которой составлял к тому времени более 50 сотрудников, и ему приходилось в течение последующих восьми лет совмещать изучение эпитаксиальной технологии, психологии и юриспруденции. Помимо этого, он был и душой коллектива - перед праздниками был занят сочинением стихотворений, од и поэм, имевших неизменный успех у сотрудников лаборатории и поныне использующихся в физтеховском фольклореНекоторые из стихов Таталакина Г. Н. можно найти и в Интернете (http://www.ioffeled.com/Papers/11-about%20GNTalalakin.pdf ), хорошо пел и играл на домре. Время стирает воспоминания, но созданная Георгием Николаевичем благоприятная атмосфера в коллективе лаборатории живет до сих пор; живут и придуманные им технологические приемы, благодаря которым идея создания газоанализаторов на основе инфракрасных светодиодов нашла своё промышленной воплощение. Имя Георгия Николаевича сохранится в памяти его друзей, сотрудников и учеников потому, что плохое быстро забывается, а хорошее - никогда. Друзья, коллеги и ученики Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. K.G. McKay, A. McAfee. Phys. Rev. 91, 1079 (1953)
  2. C. Zener. Proc. Roy. Soc. (London), 145, 523 (1934)
  3. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 33, 994 (1957); ЖТФ, 34, 962 (1958)
  4. W. Shockley. Bull. Am. Phys. Soc., 5, 161 (1960)
  5. W. Shockley. Solid-State Electron., 2, 35 (1961)
  6. В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов. ФТП, 44, 44 (2010)
  7. В.Б. Бондаренко, В.В. Кораблев, Ю.И. Равич. ФТП, 38, 331 (2004)
  8. D. Arnold, K. Hess. J. Appl. Phys., 61, 5178 (1987)
  9. P. Anfer and Mayergoyz. J. Appl. Phys., 93, 46646 (2003)
  10. J.A. Nixon, J.H. Davies. Phys. Rev. B, 41, 7929 (1990)
  11. D. Arnold, K. Kim, K. Hess. J. Appl. Phys., 61, 1456 (1987)
  12. В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 1533 (2010)
  13. В.А. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  14. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)ю
  15. Р. Ньютон. Теория рассеяния волн и частиц (М., Мир, 1969)
  16. В.В. Никольский, Т.И. Никольская. Электродинамика и распространение радиоволн (М., Наука, 1989)
  17. T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 15, 329 (1976)
  18. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  19. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.