Исследованы зависимости поглощательной способности пролупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si), аморфного кремния (a-Si), теллурида кадмия (CdTe), диселенида индия (CuInSe₂, CIS) и диселенида галлия (CuGaSe₂, CGS). Расчеты выполнены с учетом спектрального распределения стандартного солнечного излучения AM1.5 и коэффициентов поглощения материалов. Показано, что в области длин волн lambda=lambda_g=hc/E_g практически полное поглощение фотонов в солнечном излучении AM1.5 достигается в c-Si при толщине d=7-8 мм, в a-Si при d=30-60 мкм, в CdTe при d=20-30 мкм, в CIS и CGS при d=3-4 мкм. Полученные результаты отличаются от литературных данных для этих материалов (особенно для c-Si), когда толщина полупроводника, необходимая для полного поглощения солнечного излучения, идентифицируется с эффективной глубиной проникновения света на некоторой длине волны в области фундаментального поглощения полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.