"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей
Косяченко Л.А.1, Грушко Е.В.1, Микитюк Т.И.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 1 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Исследованы зависимости поглощательной способности пролупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si), аморфного кремния (a-Si), теллурида кадмия (CdTe), диселенида индия (CuInSe2, CIS) и диселенида галлия (CuGaSe2, CGS). Расчеты выполнены с учетом спектрального распределения стандартного солнечного излучения AM1.5 и коэффициентов поглощения материалов. Показано, что в области длин волн lambda=lambdag=hc/Eg практически полное поглощение фотонов в солнечном излучении AM1.5 достигается в c-Si при толщине d=7-8 мм, в a-Si при d=30-60 мкм, в CdTe при d=20-30 мкм, в CIS и CGS при d=3-4 мкм. Полученные результаты отличаются от литературных данных для этих материалов (особенно для c-Si), когда толщина полупроводника, необходимая для полного поглощения солнечного излучения, идентифицируется с эффективной глубиной проникновения света на некоторой длине волны в области фундаментального поглощения полупроводника.
  1. Standard of International Organization for Standardization ISO 9845-1 : 1992. Reference solar specral irradiance at the ground at different receiving conditions.
  2. http://refractiveindex.info/a-Si
  3. P.D. Paulson, R.W. Birkmire, W.N. Shafarman. J. Appl. Phys., 94, 879 (2003)
  4. S.-H. Han, F.S. Hasoon, A.M. Hermann, D.H. Levi. Appl. Phys. Lett., 91, 021 904 (2007)
  5. J.L. Gray, R.J. Schwartz, Y.J. Lee. Annual report, Jan. 1-Dec. 31, 1990. National Renewable Energy Laboratory / TP-413-4835 (1990) p. 1
  6. M.I. Alonso, K. Wakita, J. Pascual, M. Garriga, N. Yamamoto. Phys. Rev. B, 63, 075 203 (2001)
  7. S. Theodoropoulou, D. Papadimitriou, K. Anestou, C. Cobet, N. Esser. Semicond. Sci. Technol., 24, 015 014 (2009)
  8. S. Deng, E.A. Schiff. In: Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, 2nd edn, ed. by A. Luque, S. Hegedus (John Wiley \& Sons, 2003) p. 505
  9. T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  10. H. Kuzmany. Solid-State Spectroscopy: An Introduction (Springer--Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y., 1998)
  11. J.M. Serra, R. Gamboa, A.M. Val. Mater. Sci. Eng. B, 36, 73 (1996)
  12. J. Szlufcik, S. Sivoththaman, J.F. Nijs, R.P. Mertens, R.V. Overstraeten. In: Practical Handbook of Photovoltaics: Fundamentals and Applications, ed. by T. Markvart, L. Castaner (Elseiver, N. Y., 2003) p. 155
  13. F. Ferrazza. In: Practical Handbook of Photovoltaics: Fundamentals and Applications, ed. by T. Markvart, L. Castaner (Elseiver, N. Y., 2003) p. 137

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.