"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос заряда на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии
Лебедев М.В.1, Masuda T.2, Uosaki K.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Physical Chemistry Laboratory, Division of Chemistry, Graduate School of Science, Hokkaido University, Sapporo 06, Japan
Поступила в редакцию: 3 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Методом электрохимической импедансной спектроскопии исследуются процессы переноса зарядов на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты. Установлено, что при приложении к полупроводнику анодных потенциалов импедансные спектры содержат две емкостные полупетли, соответствующие емкости области пространственного заряда и емкости поверхностных состояний. При приложении потенциала холостого хода изгиб зон на границе полупроводника с раствором равен 0.7 эВ, а плотность заполненных поверхностных состояний полупроводника в темноте и при освещении комнатным светом равна соответственно 1.6 и 2.8·1012 см2эВ-1. При приложении к полупроводнику катодного потенциала происходит выделение водорода на границе полупроводник/раствор и в импедансном спектре появляется дополнительная индуктивная петля. Одновременно происходит возрастание плотности интерфейсных состояний как за счет выпрямления зон полупроводника, так и за счет формирования связей As-H. Таким образом, перенос заряда через границу n-GaAs(100)/водный раствор HCl всегда происходит с участием поверхностных состояний.
  1. T. Suzuki, M Ogawa. Appl. Phys. Lett., 31, 473 (1977)
  2. R.P. Vasquez, B.F. Lewis, F.J. Grunthaner. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 791 (1983)
  3. O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
  4. B.H. Erne, M. Stchakovsky, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Electrochem. Soc., 145, 447 (1998)
  5. R. Memming. Semiconductor Electrochemistry (Wiley-VCH, Weinheim, 2001)
  6. T.A. Abshere, J.L. Richmond. J. Phys. Chem. B, 104, 1602 (2000)
  7. Y. Ishikawa, T. Fujui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1163 (1997)
  8. I. Yagi, S. Idojiri, T. Aatani, K. Uosaki. J. Phys. Chem. B, 109, 5021 (2005)
  9. Y. Huang, J. Luo, D.G. Ivey. Thin Sol. Films, 496, 724 (2006)
  10. Z. Hens, W.P. Gomes. J. Phys. Chem. B, 104, 7725 (2000)
  11. G. Horowitz, P. Allongue, H. Cachet. J. Electrochem. Soc., 131, 2563 (1984)
  12. V. Lazarescu, M.F. Lazarescu, E. Santos, W. Schmickler. Electrochim. Acta, 49, 4231 (2004)
  13. C. Debiemme-Chuovy, H. Cachet. J. Phys. Chem. C, 112, 18 183 (2008)
  14. P.T. Chen, Y. Sun, E. Kim, P.C. McIntyre, W. Tsai, M. Garner, P. Pianetta, Y. Nishi, C.O. Chui. J. Appl. Phys., 103, 034 106 (2008)
  15. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 112, 18 510 (2008)
  16. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. Phys. Status Solidi C, 7, 193 (2010)
  17. K.W. Frese, S.R. Morrison. J. Electrochem. Soc., 126, 1235 (1979)
  18. S.D. Offsey, J.M. Woodall, A.C. Warren, P.D. Kirchner, T.I. Chappell, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 48, 475 (1986)
  19. J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2255 (1989)
  20. G.S. Chang, W.C. Hwang, Y.C. Wang, Z.P. Yang, J.S. Hwang. J. Appl. Phys., 86, 1765 (1999)
  21. X. Li, P.W. Bohn. J. Electrochem. Soc., 147, 1740 (2000)
  22. C.M. Finnie, X. Li, P.W. Bohn. J. Appl. Phys., 86, 4997 (1999)
  23. D. Liu, T. Zhang, R.A. LaRue, J.S. Harris, T.W. Sigmon. Appl. Phys. Lett., 53, 1059 (1988)
  24. T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, W. Jaegermann. Appl. Surf. Sci., 252, 31 (2005)
  25. B.H. Erne, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Phys. Chem. B, 103, 2948 (1999)
  26. B.H. Erne, D. Vanmaekelbergh. J. Electrochem. Soc., 144, 3385 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.